学习目标：明确高程测量是确定地面点位置的基本工作。掌握地面点高程测量的二种技术：水准测量和三角高程测量的原理与方法。 第一节 水准测量原理 第二节 一测站水准测量基本操作 第三节 水准测量高差观测技术 第四节 水准测量误差及其预防 第五节 精密水准仪 第六节 水准路线图形和计算 第七节 三角高程测量与高程导线

8.1 基于C54x的DSP最小系统设计 8.2 C54x外部总线结构 8.3 存储器扩展 8.4 A/D、D/A与DSP的接口技术 8.5 Bootloader功能的实现 8.6 C54x系统设计实例 8.7 DSP系统的调试与抗干扰措施

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

第十二讲行政效率 学习要求: 1、了解行政效率的概念和意义。 2、掌握测定行政效率的方法和技术。 3、探索提高行政效率的途径。 学习重点 1、行政效率的概念 2、测定行政效率的方法和技术 3、提高行政效率的途径 一、行政效率概述 (一)行政效率的概念 要弄请什ㄠ是行政效率,首先必须明确什ㄠ是效率

一、城市垃圾及其分类 城市是人口密集的地方,也是工业、经济和技术集中的地方。由于人口、经 济和生活水平的发展,城市垃圾产量迅速增长成分也日趋庞杂,污染问题已经 成为世界性城市环境公害之一。1985年我国城市垃圾产量为5188×10吨,并正 以10%的速度增长。因此,对城市垃圾处理技术的研究是十分现实的问题

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

近几年来 , 导电性高分子的研究取得了长足 的发展 , 形成了一个十分活跃的边缘学科领域 ,它 对电子工业、信息工业及新技术的发展具有重大 的意义。 现有的研究成果表明 ,发展导电高分子不仅可 以满足人们对导电材料的需要 , 而且由于它兼具 有机高分子材料的性能及半导体和金属的电性能 , 具有重量轻 ,易加工成各种复杂的形状 , 化学稳定 性好及电阻率可在较大范围内调节等特点。此外 在电子工业中的应用日趋广泛 , 促进了现代科学 技术的发展

水力压裂：常简称为压裂，指利用水力作用使油层形成裂缝的方法，是油气井增产、注水井增注的一项重要技术措施，不仅广泛用于低渗透油气藏，而且在中、高渗油气藏的增产改造中也取得了很好的效果。要求学生们在本章重点掌握水力压裂的方法，水力压裂增产增注的原理，使用合理的压裂液及还要求学生掌握压裂工艺技术的实际应用

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素