一、单项选择题（本大题共 3 小题，每小题 2 分，共 6 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1．截平面倾斜于圆柱的轴线，截平面与圆柱的交线是（ ） A．圆 B．直线 C．双曲线 D．椭圆

一、单项选择题(本大题共25小题,每小题2分,共50分,错选、多选、未选均不得分) 1、若组成运动副的两构件间的相对运动是转动,则称这种运动副为【】 A、转动副B、移动副C、球面副D、螺旋副

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．截平面倾斜于圆柱的轴线与圆柱相交,截平面与圆柱的交线是（ ） A．圆 B．矩形 C．双曲线 D．椭圆

7.1 资源数量变化的分析 7.2 目标函数中价值系数cj的变化分析 7.3 技术系数αij的变化 8.1 参数c的变化 8.2 参数b的变化分析

一、单项选择题(本大题共 15 小题，每小题 2 分，共 30 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在加工同一规格的一批零件的几何参数时，没有必要完全一致，只要把零件的几何参数_________控制在允许变动的范围内就可以了。（ ） A.公差 B.误差 C.上偏差 D.下偏差

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共10题,每小题2分,共20分) 将正确答案前的字母填 在题后的括号内。 1.某地经度为东经117°30,该地位于高斯投影6带的带号N为() A.19 B.20 C.39 D.40

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

一、单项选择题（本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．国家标准的代号是（ ） A．ISO B．GB C．JB D．SJ

1一平面简谐波的波动方程为 y=Acos2π(v-x/n)在t=1/v时刻, x1=3/4与x2=/4两处质点速度之比是 (A)1(B)-1(C)3(D)1/3