点击切换搜索课件文库搜索结果(5922)
文档格式:PDF 文档大小:512.08KB 文档页数:4
系统地评估了铁氧化物还原动力学中氧化物型杂质或添加剂的影响,进行了必要的量化分析.其影响的特点与杂质含量,杂质存在形式和加入方法,样品的初始化学组成和物理性状,还原剂的种类,反应温度,还原分数等多种因素有关
文档格式:PDF 文档大小:459.94KB 文档页数:5
根据目前无缝钢管常用的外表面常压管射流与内表面轴向喷射冷却方式,采用有限元分析软件ANSYS对大口径钢管淬火过程温度场进行数值模拟.分析了钢管的管径、钢管的旋转速度及内喷射冷却介质-水的浸润角对钢管径向冷却均匀的影响.结果表明:在大管径条件下,管径对冷却均匀影响不大;钢管的旋转速度不低于60 r·min-1,水的浸润角为270°左右时,钢管径向冷却均匀较好
文档格式:PDF 文档大小:324.93KB 文档页数:3
采用人工神经网络方法建立了钢-铝固液相复合中助焊剂质量分数、铝液温度、模具温度、压力与界面层厚度间的关系模型,并结合最大剪切强度的复合工艺参数得出了钢-铝固液相压力复合的最佳界面层厚度为10.0μm
文档格式:DOC 文档大小:62KB 文档页数:5
境内水资源主要由大气降水形成的河川径流和地下径流组成,这部分水相互转化、循 环,构成该区的地表水和地下水资源。由于这两部分水主要补给来源是大气降水,因而水 资源的数量与时空分配都受降水的制约与影响。据秦皇岛市水资源综合管理办公室资料, 全市多年平均水资源总量16.28亿m3,其中地表水13.24亿m3,地下水3.30亿m3
文档格式:PDF 文档大小:923.59KB 文档页数:6
用质量分数3.5%的NaCl溶液作为腐蚀液,滴于低碳铁素体钢、09CuPCrNi钢和低碳贝氏体钢的表面并形成薄液膜,用金相显微镜观测薄液膜下三种钢的初期腐蚀.低碳铁素体钢和09CuPCrNi钢均出现了明显的晶界择优腐蚀,而低碳贝氏体钢没有出现明显的晶界择优腐蚀.钢基体的电化学阻抗谱和极化曲线测量结果显示低碳贝氏体钢具有最高极化电阻和最小腐蚀电流,表明细晶组织的低碳贝氏体钢的初期腐蚀速率低于其他两种钢
文档格式:PDF 文档大小:449.93KB 文档页数:4
实验研究了在粉末冶金静电模壁润滑技术中复合润滑剂——50%EBS蜡+50%石墨,50%EBS蜡+50%BN(质量分数)的静电荷电与润滑特性.结果表明:BN的加入能改善EBS蜡的荷电性能,而石墨的加入却使其变差;50%EBS蜡+50%石墨混合粉润滑效果极好,能获得相当高的压坯密度,而50%EBS蜡+50%BN混合粉的效果却要差得多;模具温度为150℃(超过EBS蜡熔点)时,50%EBS蜡+50%E墨混合粉润滑效果变差,而50%EBS蜡+50%BN混合粉则影响不大
文档格式:PDF 文档大小:8.82MB 文档页数:8
采用微弧氧化(MAO)技术在7050铝合金表面制备了陶瓷膜层,运用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)表征陶瓷膜微观结构,采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)和慢应变速率拉伸试验(SSRT)研究了微弧氧化膜对7050铝合金在3.5%(质量分数) NaCl水溶液中腐蚀和应力腐蚀开裂(SCC)行为的影响.结果表明:微弧氧化膜层由表面疏松层与内部致密层组成,表面疏松层主要由Al2O3组成,内部致密层由氧化铝与铝烧结而成.微弧氧化膜层可以有效抑制7050铝合金表面的腐蚀萌生及明显降低腐蚀速率,且使7050铝合金的应力腐蚀敏感性出现显著下降
文档格式:PDF 文档大小:1.06MB 文档页数:8
采用垂直沉积法组装了二元聚苯乙烯胶粒晶体,研究了两种聚苯乙烯胶体微球的粒径比、质量比、温度和分散介质中乙二醇含量等因素对二元聚苯乙烯胶粒晶体组装花样的影响.粒径比>;4.45、质量比≥74∶26是形成面心立方二元聚苯乙烯胶粒晶体的必要条件.组装温度为60℃,分散介质中乙二醇质量分数为6%时,可得到更高质量的二元聚苯乙烯胶体晶体.胶体微球二元垂直沉积机理研究表明:两种聚苯乙烯胶体微球是同时在基片的表面进行组装的;胶体微球在介质中的布朗运动、沉降速率及其在基片表面的组装速率三者之间匹配越好,所得二元聚苯乙烯胶粒晶体质量越高
文档格式:PPT 文档大小:9.19MB 文档页数:20
4.4.1变配电系统监控 (1)监控管理功能 A.检测运行参数,为正常运行时的计量管理、事故发生时的故障原因分析提供数据。 B.监视电气设备运行状态,并提供电气主接线图开关状态画面;如发现故障,自动报警,并显示故障位置、相关电压、电流数值等
文档格式:PDF 文档大小:477.4KB 文档页数:4
研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中,基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响.实验发现,金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而单调增加,但是金刚石膜中非金刚石碳的质量分数先是随基片温度的增加而降低,在1000~1100℃达到最低值以后又开始随基片温度的增加而增加
首页上页582583584585586587588589下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 5922 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有