• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在。 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道

4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

4场效应管放大电路 4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vs=4V时的转移特性

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

第一节 概述 第二节 晶体三极管混频 第三节 场效应管混频器 第四节 二极管混频器 第五节 模拟乘法器混频器 第六节 混频器的干扰与失真

第2章基本放大电路和多级放大电路 2.1基本共极放大电路 2.2基本放大电的分析方法 2.3工作点定电 2.4共集和共基放大电路 2.5场效应管放大电 2.6多级放大电及复合管 2.7放大电路的频率响应 2.8放大电路中的噪责与干扰 2.9实应用电举

上海交通大学：《通信基本电路》课程教学资源（讲义）5.3 变频电路 §5.3.2 晶体三极管混频器 §5.3.3 场效应管混频器

《模拟电子技术》课程教学资源（章节习题）场效应管及其放大电路（无答案）

4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vms=4V时的转移特性