与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

6.0 概述 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路-Differential Amplifier 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 集成电路运算放大器的主要参数 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大电路中的噪声与干扰

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第6章小结 一、模拟乘法器(属于非线性模拟集成电路)