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山东理工大学:《电子工艺》课程教学资源(实验指导书)
文档格式:PDF 文档大小:1.25MB 文档页数:41
实训项目一 安全用电 实训项目二 电子元器件的识别与测试 实训项目三 锡焊技术 实训项目四 常用电子仪器仪表使用 实训项目五 多路输出稳压电源及充电器的设计与焊接调试 实训项目六 放大器和积分器的设计仿真及安装调试 实训项目七 表面安装技术(SMT) 实训项目八 SMT 产品安装工艺 实训项目九 电子实训产品 实训项目十 PCB 印刷电路板的设计与制作
《电子工艺基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 计算机常用电子元器件检测
文档格式:PPT 文档大小:939KB 文档页数:70
教学目标: (1)掌握电容器的识别与检测的方法; (2)掌握电阻器与电位器的识别与检测的方法; (3)掌握电感器与变压器的识别与检测的方法; (4)了解继电器的识别与检测的方法; (5)掌握晶体二极管的识别与检测的方法; (6)了解晶体三极管的识别与检测的方法。 教学内容: 任务1、电容器识别与检测 任务2、电阻器与电位器的识别与检测 任务3、电感器与变压器的识别与检测 任务4、晶体二极管的识别与检测 任务5、晶体三极管的识别与检测
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)CAD课程(一)
文档格式:PDF 文档大小:248.76KB 文档页数:26
(1)传统的设计方法 制板图(绘图工具)制作印制板(工艺流程)制印 焊接电路图测试修改电路反复确定一 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)计算机辅助设计
文档格式:PPT 文档大小:304.5KB 文档页数:25
(1)传统的设计方法 焊接电路图—测试—修改电路—反复—确定—绘制印 制板图(绘图工具)—制作印制板(工艺流程) 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室
电子科技大学:《电子设计自动化技术》课程教学资源(讲义课件)第六章 同步设计技术
文档格式:PDF 文档大小:245.48KB 文档页数:17
关于使用同步设计还是异步设计,已有很多讨论。同步电路易于设 计和修改,并且和工艺关系不大,但是它通常不如异步电路效率高,即 占用芯片面积较大。异步设计通常需要有更高的设计技巧和经验
《模拟电子线路》课程教学资源(各章题解)第4章 集成运算放大电路
文档格式:DOC 文档大小:4.17MB 文档页数:15
一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第2章 集成逻辑门电路(2.4)MOS逻辑门(2/2)
文档格式:PPT 文档大小:2.05MB 文档页数:70
一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第2章 集成逻辑门电路(2.4)MOS逻辑门(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:1.91MB 文档页数:41
一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
西南交通大学:《模拟电路》第三章 半导体三极管及放大电路基础
文档格式:PPT 文档大小:1.29MB 文档页数:99
一、工艺特点: 二、发射区掺杂浓度高 三、基区很薄且掺杂浓度低 四、集电结面积大
电子科技大学:《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源(课件讲稿)第5章 金属氧化物薄膜晶体管
文档格式:PDF 文档大小:3.87MB 文档页数:50
5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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