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全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:77KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.三极管β值是反映( )能力的参数。 A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:526.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流
安顺学院:《电子技术基础(模拟部分)》课程教学资源(PPT课件讲稿,第六版)ch08 反馈放大电路
文档格式:PPT 文档大小:7.41MB 文档页数:83
8.1 反馈的基本概念与分类 8.1.1 什么是反馈 8.1.2 直流反馈与交流反馈 8.1.3 正反馈与负反馈 8.1.4 串联反馈与并联反馈 8.1.5 电压反馈与电流反馈 8.1.6 负反馈放大电路的四种组态 8.2 负反馈放大电路增益的一般表达式 8.3 负反馈对放大电路性能的影响 8.4 深度负反馈条件下的近似计算 8.5 负反馈放大电路设计 8.6 负反馈放大电路的稳定性
南京邮电大学:《电路分析》第一章 基本概念
文档格式:PPT 文档大小:801KB 文档页数:85
第一章基本概念 1-1信号和电路 1-2电路模型 1-3电路变量 1-4电路元件 1-5基尔霍夫定律 1-6基本电信号
石河子大学:《电力电子技术》课程教学实验指导书(2014版)
文档格式:DOC 文档大小:1.09MB 文档页数:28
第一章 电力电子技术实验概述 §1-1 实验的特点和要求 §1-2 实验准备 §1-3 实验实施 §1-4 实验总结 第二章 实验项目 实验一*、晶闸管的测试及导通关断条件测试实验 实验二*、单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路 实验三、单相桥式全控整流及有源逆变电路实验 实验四*、三相桥式全控整流电路性能研究实验 实验五*、直流斩波电路原理实验 实验六*、单相交流调压电路实验 第三章 电力电子电路 MATLAB 仿真实验初步 实验一 单相桥式全控整流电路的建模与仿真 实验二 三相桥式全控整流电路建模与仿真
九州职业技术学院:《电工电子技术》2008年至2009学年度第一学期期末考试试卷(A)
文档格式:DOC 文档大小:313.5KB 文档页数:5
一、单项选择:(将正确的选项填入括号内,总分18分,每小题三分) 1.在图一电路中,已知u=15V,R=10Q2,R1两端能承受的最大电压为5V,求 A.B两点间至少串联一个多大的电阻才能正常工作。()
延安大学:《电路分析基础》课程教学资源(PPT课件)第7章 二阶电路
文档格式:PPT 文档大小:3.58MB 文档页数:41
定义: 包含一个电容和电感,或两个电容,或两个电感的动态电路。称为二阶电路。 二阶电路可用一个二阶微分方程或两个联立的一阶微分方程描述。 本章只讨论包含一个电容和电感的二阶电路。可能出现振荡形式。 学习内容: 1、从物理概念上阐明LC电路中的正弦振荡; 2、学习RLC串联电路的零输入响应的求解;了解二阶电路的一般分析方法;掌握特征根与固有响应的关系。 3、学习求解RLC串联电路的完全响应的方法。 4、学习求解GCL并联电路的分析方法。 1、LC 电路中的正弦振荡 2、RLC 串联电路的零输入响应 3、RLC 串联电路的全响应 4、GCL 并联电路的分析
《光学基础和测试技术》第三讲 光谱技术2
文档格式:PPT 文档大小:523KB 文档页数:54
二、原子能级的量子数 主量子数n:表示电子离核的远近程度或电子层数,是决 定电子能量的主要参数。n=1,2,.,用K,L,M.表示; 角量子数l:表示电子的亚层能级,描述电子轨道。l=0,1,2, n-1,用s,p,d,f表示; 磁量子数m:决定电子轨道在空间的方向,m=±1,2,…,± ,共(2+1)个,表示口并度; 自旋量子数m:取+1/2和-1/2,分别表示二种自旋方向
南京邮电大学:《电路分析》课程电子教案(PPT课件)第8章 耦合电感和变压器电路分析(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:863.5KB 文档页数:55
南京邮电大学:《电路分析》课程电子教案(PPT课件)第8章 耦合电感和变压器电路分析(1/2)
安顺学院:《电子技术基础(模拟部分)》课程教学资源(PPT课件讲稿,第六版)ch04 场效应三极管及放大电路
文档格式:PPT 文档大小:6.98MB 文档页数:128
4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路) 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
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