随着多核处理器的酱及，使用并发成为构建高性能应用程序的关键。Java5以及6在开发并发程序中取得了显著的进步，提高了Java虚拟机的性能以及并发类的可伸缩性，并加入了丰富的新并发构建块。在本书中，这些便利工具的创造者不仅解释了它们究竟如何工作、如何使用，还阐释了创造它们的原因，及其背后的设计模式。本书既能够成为读者的理论支持，又可以作为构建可靠的、可伸缩的、可维护的并发程序的技术支持。本书并不仅仅提供并发API的清单及其机制，还提供了设计原则、模式和思想模型，使我们能够更好地构建正确的、性能良好的并发程序。本书适合于具有一定Java编程经验的程序员、希望了解JavaSE5以及6在线程技术上的改进和新特性的程序员，以及Java和并发编程的爱好者

第一节 发酵过程中的代谢变化与控制参数 第二节 温度对发酵的影响及其控制 第三节 pH值对发酵的影响及其控制 第四节 溶解氧对发酵的影响及其控制 第五节 菌体浓度与基质对发酵的影响及其控制 第六节 CO2和呼吸商 第七节 补料的控制 第八节 泡沫对发酵的影响及其控制 第九节 发酵终点的判断 第十节 发酵过程检测与自控

• 第一章 开篇——大学生心理健康概论 • 第二章 适应——适应能力发展 • 第三章 自省——自我觉察能力发展 • 第四章 合作——人际交往能力发展 • 第五章 爱——恋爱能力发展 • 第六章 积极——情绪管理能力发展 • 第七章 学习——学习能力发展 • 第八章 乐观——挫折能力发展 • 第九章 发展——职业生涯规划能力发展 • 第十章 感恩——生命价值提升能力发展

研究了镍铬钼钢中痕量元素在真空感应熔炼过程中挥发的动力学,给出了确定挥发元素在气相边界层扩散传质系数的方法,提出了挥发元素在液/气界面挥发反应的速率常数计算公式。试验及计算结果表明,Sn、As在钢的真空感应熔炼过程中的挥发过程受液相边界层中的扩散及液/气界面挥发反应混合控制,K23值均在10-3~10-2cm/s数量级。Sn、As在液/气界面的挥发反应可能包括元素自身的挥发及其氧化物的挥发反应

一、昆虫的胚后发育 孵化 hatching:胚胎发育完成后,幼虫破卵壳而出 的过程。幼体自卵内孵出后发育到羽化出成虫为止的整 个发育过程即胚后发育 Postembryonic development 特点:胚后发育是胚胎发育的 继续,是伴随变态的生长发育,幼胚后发育 虫要经过一系列形态和内部器官的 变化后才能发育为成虫。①全变 态——幼虫、蛹、成虫;②不全 变态——若虫、成虫

一、部分性(限局性、局灶性)发作 1.简单部分性发作 (1)运动性发作 (2)感觉性发作 (3)植物神经性发作 (4)精神症状性发作 2.复杂部分性发作 3.部分性发作演变为全身性发作

随着生物化学、细胞生物学、应用 分子生物学、遗传工程和代谢工程等学 科和分析、检测技术的发展,工业发酵 正在发生一个从技艺走向科学的重大变 化,我国大学的发酵工程专业正在融入 生物工程专业。在生物工程受到广泛重 视的今天,有必要把工业发酵生产中的 菌种选育、发酵工艺和微生物的培养设 备作为一个整体,在科学的水平上对工 业发酵进行重新审视

我国大学工科的发酵工程学 科脱胎于农学院的农产加工学科 。1952年全国高等学校院系调整 时,农学院农业化学系的农产品 加工专业曾经包含一个叫做发酵 的专业方向;农产品加工专业从 农学院划归工学院的食品工业系 ,这才有了工科的发酵工程专业 方向和随后建成的发酵工程学科 。从1952年算起,我国发酵学科 已有50年历史了

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题