本书由三大部分构成。第1、2章是纳米技术的基本情况；第3~7章主要是纳米电、磁、光功能材料及其在电子元器件中的应用；8~10章则主要是纳米电子学的基本知识。三个部分有一定的独立性联结起来又成一体。可供电子科学技术、材料、物理、化工、冶金等学科和相关技术人员使用

一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型

10.1 直流电源的组成及各部分的作用 10.2 整流电源 10.3 滤波电路 10.4 稳压二极管稳压电路 10.5 串联型稳压电路 10.6 开关型稳压电路

产生过渡过程的电路及原因? 电阻是耗能元件,其上电流随电压成比例变化,不存在过渡过程

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

一、主电路形式选用 二、整流变压器设计计算 三、整流元件选择 四、主电路元件保护 五、电抗器设计

3.8.1 对相控触发电路的基本要求 3.8.2 控制角a 的移相控制方法 3.8.3 相控触发电路的同步方式及输出

一、电波传播特性及损耗预测 二、噪声的估计 三、组网中应考虑的主要干扰

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

10.1 信号处理技术 10.2 噪声源及噪声耦合方式 10.3 共模与差模干扰 10.4 常用的干扰抑制技术