应用射频溅射技术制备了面心立方结构的Fe1-xNix/Cu(x=0.26~0.54)金属超晶格.Mgo单晶衬底的采用以及在面心立方结构的Cu上实施外延等措施保证了在Ni质量分数低至0.26时Fe-Ni合金层仍保持了良好的面心立方的晶体结构,而且直到液氦温区这种面心立方结构仍是稳定的.磁性测量表明,当Fe-Ni合金层的Ni质量分数低至接近因瓦合金成分(x=0.35)时,其饱含磁矩呈下降趋势,即表现出偏离Slater-Pauling规律的倾向.同时,面心立方结构的Fe-Ni合金层的饱合磁矩有很强的温度依赖性,表明面心立方结构的Fe-Ni合金中饱含磁矩对Slater-Pauling规律的偏离与所谓的马氏体预相变无关,而与合金中Fe-Fe原子对的反铁磁性耦合有关

针对基于流态化技术利用硅粉直接氮化合成氮化硅粉的新工艺,建立了悬浮床内热过程的二维数学模型,并借助CFD商业软件FLUENT对悬浮床内热过程进行了数值模拟,分析了氮气速度、粉气比和氮化温度等因素对温度场和硅转化率的影响.结果表明,模拟计算值与实验值误差小于5%,该模型可以用来预测悬浮床内的热过程.在本文条件下,当以平均粒径2.7μm的硅粉为原料、氮化温度为1 380℃、氮化时间为54.5 s时,硅的转化率为22.5%.模型预测表明,如果将氮化温度升至1 450℃、氮化时间延长至7.1 min,那么硅转化率可达98.6%,氮化硅纯度达98%以上

采用电化学测试技术与化学浸泡实验相结合,对比研究了409L和430铁素体不锈钢热轧板材耐点蚀和耐晶间腐蚀的能力.结果表明:409L不锈钢的击穿电位与保护电位的差小、钝化膜的修复能力较强,表现为小尺度的浅点蚀孔;430不锈钢的击穿电位较高,耐点蚀能力高于409L不锈钢,但430不锈钢热轧态的条带组织有明显的腐蚀微电池效应,表现为比较严重的全面腐蚀;409L不锈钢含Cr量低,且其热轧态未经过稳定化处理,使得409L不锈钢耐晶间腐蚀能力劣于430不锈钢.经微观分析:409L不锈钢为沿着基体等轴晶界的典型晶间腐蚀形貌特征,而430不锈钢在轧向碳化物(M23C6)与基体的相界面上呈现分层腐蚀痕迹

采用中心复合试验研究采场温度、灰砂质量比和固相质量分数对高寒矿山充填料浆的强度特性和流动特性影响规律.利用多项式近似隐式极限状态方程,建立充填体强度、充填料浆坍落度和充填材料成本响应面回归模型.以回归模型响应值的满意度为输入,使用加权几何平均算法求得料浆充填性能整体满意度,采用基于整体满意度准则的非线性多目标优化技术对充填配比参数进行优化,得到高寒矿山不同采场温度范围下最佳灰砂质量比及充填料浆输送浓度.结果表明:采场温度低于5℃时,固相质量分数70%、灰砂质量比1:6的料浆整体满意度可达0.4~0.5,满足低温充填要求,且整体满意度随温度变化较小;当采场温度增至5℃之上时,温度提高充填性能整体满意度迅速增大,固相质量分数65%、灰砂质量比1:6的料浆满意度增大最快

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

8.1 系统并行扩展结构 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1 存储器地址空间分配 8.2.2 外部地址锁存器 8.3 静态数据存储器RAM的并行扩展 8.3.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 8.3.2 外扩数据存储器的读写操作时序 8.3.3 AT89S52单片机与RAM的接口设计与软件编程 8.4 片内Flash存储器的编程 8.4.1 使用通用编程器的程序写入 8.4.2 使用下载线的ISP编程 8.5 E2PROM的并行扩展 8.5.1 并行E2PROM芯片简介 8.5.2 E2PROM的工作方式 8.5.3 AT89S52单片机扩展E2PROM AT2864的设计

2.1 数控加工工艺概述 一、数控加工工艺的基本概念 二、数控加工的内容 三、数控加工的步骤 四、数控加工工艺的主要内容 五、数控加工工艺的主要步骤 2.2 数控加工工艺分析 一、数控加工工艺的特点 二、数控机床加工内容的选择分析 三、数控加工零件工艺性分 2.3 数控加工工序设计 一、毛坯的确定 二、工艺路线确定 三、定位夹紧方案的确定 四、刀具的选择 五、切削用量的确定 六、走刀路线的确定 2.4 数控加工的数学处理 一、基点、节点、刀位点的概念 二、基点、节点的数学计算处理 三、切入、切出点的处理 2.5 数控加工工艺文件的制定

基本原则之一：面积和速度的平衡与互换； 基本原则之二：硬件原则； 基本原则之三：系统原则； 基本原则之四：同步设计原则； 基本设计思想与技巧之一：乒乓操作； 基本设计思想与技巧之二：串并转换； 基本设计思想与技巧之三：流水线操作； 基本设计思想与技巧之四：数据接口的同步方法； 常用模块之一：RAM; 常用模块之二：全局时钟资源与时钟锁相环； 常用模块之三：全局复位/置位信号； 常用模块之四：高速串行收发器。 HDL语言的层次含义； ·Coding Style的含义； ·结构层次化编码； ·模块的划分的技巧； 比较判断语句case和if...else的优先级； 慎用锁存器(Latch); ·使用Pipelining方法优化时序； 模块复用与Resource Sharing; 逻辑复制； 香农扩展； 信号敏感表； 复位逻辑； FSM设计的一般型原则； 用Verilog语言设计FSM的技巧； ·CPLD原理与设计方法

互联网逐渐成为社会基础设施，现有ＴＣＰ／ＩＰ体系结构面临诸多挑战，未来互联网体系结构成为研究热点．文中分析了现行互联网在可扩展性、动态性、安全可控性等方面面临的根本性问题，综合比较了面向可扩展性、面向动态性及可信未来互联网体系结构研究，讨论了相关体系结构存在的问题．实验验证是未来互联网研究的重要手段，论文进一步分析了支持互联网体系结构持续创新所需的可编程虚拟化路由器及其试验床的研究进展．论文最后讨论了未来互联网体系结构有待重点研究的相关问题．

放大器概述 放大器的一般描述 分析放大器的一般方法 晶体管单管放大器 单管放大器的一般结构 单管放大器的分析方法 单管放大器的频率特性 单管放大器的比较 双管组合放大器  双管组合放大器的特点： 发挥基本放大器的优点，避免其缺点  双管组合电路的基本形式： 共射-共基电路和共源－共栅电路 共集-共集电路 共集-共射电路 共集-共基电路 复合管 多级放大器的级间耦合方式  直接耦合  阻容耦合  变压器耦合