第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

第三章原子结构和元素周期表 3.1原子核外电子的运动状态 一、玻尔的原子结构理论 1913年,丹麦青年物理学家玻尔(N.bohh)在氢原子光谱和普朗克(m. Planck)量子理论的基础上提出了如下假设:(1)原子中的电子只能沿着某些特定的、以原子核为中心、半径和能量都确定的轨道上运动,这些轨道的能量状态不随时间而改变,称为稳定轨道(或定态轨道)

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以易控的工艺条件为基础，通过设计简易实验装置来模拟锆合金在实际生产中的张力退火过程。采用X射线衍射（XRD）和电子背散射（EBSD）技术，对不同温度和不同张力下退火处理后的Zr–4合金织构和再结晶行为进行研究。结果表明，施加外加应力和提高退火温度可显著改变再结晶织构演化过程。随着外加应力值的增加以及退火温度的升高，锆合金的主要织构($\\overline 1 2\\overline 1 5$

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