采用SEM、XRD和矿相分析方法对几件战国带虎斑纹的巴蜀兵器样品进行分析.样品基体为铸态组织且铸后经过加热;斑纹与基体有明显的界面,斑纹是高锡的铜锡合金,厚度在20~40μm;斑纹主要是由SnO2与Cu41Sn11组成.根据分析结果并分别用镀高锡合金法、热镀锡法进行模拟实验,初步认为虎斑纹系人工表面处理得到,处理工艺应为热镀锡.组织观察到从基体向镀层方向生长的柱状晶,应是铜向液态锡中溶解扩散所致;镀层中δ相的存在,可能热镀锡后又经过退火的过程

1、设向量组α1,a,a线性相关, 而向量组1,3,a4线性无关, 134 则向量组1,2,2的最大线性无关组 1,a3

在热模拟单向压缩条件下考察了四个不同C,Mn含量的低碳钢中通过形变强化相变产生的超细铁素体在模拟卷取温度下的长大倾向.结果表明,不同C,Mn含量的四种钢中的超细铁素体在-500℃的保温0～10min过程中都很稳定,没有明显的长大过程,也未明显观察到铁素体的静态再结晶.超细铁素体稳定的主要原因是由于稳定的第二组织（珠光体或渗碳体颗粒）的有效钉扎,它既阻止了铁素体的明显长大,也抑制其静态再结晶的充分进行.但不同C,Mn含量的四种钢中的第二组织有不同的演变规律,保温过程中形变奥氏体内形成离异珠光体并缓慢粗化.另外,利用背散射电子衍射取向成像技术还测定了08钢保温过程中的取向（差）变化

1质量m=10kg的质点受力F=30+40t 的作用,且力方向不变.t=0s时从v=10ms-1 开始作直线运动(v方向与力向相同),求: (1)0~2s内,力的冲量I;(2)t=2s时质点的速 率v2.(式中力的单位为N,时间单位为s.) 解(1)1-F(dt=30+40dt=140Ns

采用真空感应熔炼法制备Cu-6%Ag和Cu-24%Ag,并进行退火和时效处理,观察了合金中析出相与基体的位向关系及界面结构,分析了析出相对合金强化和导电特性的影响.析出相与Cu基体之间具有(100)Cu//(100)Ag及〈110〉Cu//〈110〉Ag位向关系,存在半共格界面,在(111)面上平均每隔9个晶面间距出现一个刃型位错以协调点阵错配.析出相与Cu基体这种特定的位向关系及界面结构能有效地阻碍基体中位错的运动,在产生析出相强化作用的同时几乎不影响合金的电传导行为.随Cu-6%Ag时效时间的延长,析出相数量增多,合金硬度显著上升而电阻率持续下降.时效过程中析出相数量、形态及界面结构是导致合金力学和电学性能变化的主要原因

《线性代数与解析几何》课程教学资源（PPT课件）第三章 几何空间中的向量（向量的数量积和向量积、混合积与复合积）

将30MnB5热成形钢进行淬火和回火处理,利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪和拉伸性能检测等方法研究了不同回火温度后的显微组织和力学性能变化.经200℃保温2 min回火后热成形钢的综合力学性能最佳,抗拉强度为1774 MPa,总伸长率为8%,强塑积达14 GPa·%以上,该性能满足热成形后作为汽车结构件的使用要求;并且随着回火温度的升高,力学性能呈非单调性变化.200℃低温回火后,主要为板条马氏体和ε碳化物,位错密度略有降低,析出的ε碳化物粒子呈针状分布在马氏体板条内,长度方向大小为100 nm左右,并与位错发生钉扎作用.随着回火温度的升高,板条马氏体发生回复和再结晶,板条边界逐渐模糊,并向等轴状铁素体转变,位错密度显著降低,ε碳化物逐渐向低能态的近球形渗碳体转变并粗化至200 nm左右,对位错的钉扎作用也随之减弱

针对 Fe-C二元合金,建立了描述反向凝固器内伴随相变的湍流流动和传热过程的二维稳态数学模型.应用连续统一方程模拟固液相变过程,并假设两相区为疏松介质,对其中的流动应用Darcy法则.湍流现象则通过Launder-Sharma的к-ε双方程低雷诺数修正模型描述.采用Simple算法对凝固器内的速度场和温度场进行了模拟计算,并讨论了母带的厚度、入口温度和补充钢液的过热度等操作参数对相变过程的影响.分析表明母带停留时间是影响新生相生长的关键参数,即反向凝固器高度与母带拉速的比值应控制在一定的范围内

从本章起将进入面向对象程序设计学习的实质阶 段,是面向对象的第一个重要特性一封装性。 封装(Encapsulation)是面向对象程序设计最 基本的特性,把数据(属性)和函数(操作)合成一 个整体,这在计算机世界中是用类与对象实现的。本 章将引入C++的类(class)和对象(object)的概念 ,建立“函数也可以是数据类型的成员”的思想。 下面对类和对象的概念再进行说明: 类是对现实世界中客观事物的抽象描述,将具有 相同属性的一类事物称为某个类,例如将在路上跑的 各种各样的汽车抽象出它们相同的属性,称为汽车类 ,而宝马汽车是汽车类的一个实例,宝马就是对象

一、填空题(每空1分,共12分) 1、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。 2、某半导体器件的型号为KP507的其中KP表示该器件的名称 为,50表示,7表示