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全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入( ) A.3 价元素 B.4 价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:194KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.理想情况下,差动放大器的差模输入电阻为( ) A.1 B.0 C.∞ D.100
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:102.5KB 文档页数:3
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
东北大学:《数据结构》课程教学资源(学习资料)全真试题(二)
文档格式:DOC 文档大小:64KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分共30分)在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填在题后的括号内。错选或未选均无分 1、若结点的存储地址与其关键字之间存在的某种映射关系,则称这种存储结构为() A顺序存储结构 B链式存储结构 C索引存储结构 D散列存储结构
《计算机算法设计与分析》课程教学资源(讲义)第五章 贪心算法
文档格式:PDF 文档大小:240.64KB 文档页数:22
找零钱 假如售货员需要找给小孩 67 美分的零钱。现在,售货员 手中只有 25 美分、10 美分、5 美分和 1 美分的硬币。在小孩的催促 下,售货员想尽快将钱找给小孩。她的做法是:先找不大于 67 美分 的最大硬币 25 美分硬币,再找不大于 67-25=42 美分的最大硬币 25 美分硬币,再找不大于 42-25=17 美分的最大硬币 10 美分硬币, 再找不大于 17-10=7 美分的最大硬币 5 美分硬币,最后售货员再找 出两个 1 美分的硬币
东北大学:《数据结构》课程教学资源(学习资料)全真试题(一)
文档格式:DOC 文档大小:80.5KB 文档页数:5
第一部分选择题(共30分) 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2,共30分)。在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题 目要求的,请将其代码填在题后的括号内。错选或未选均无分
《世界上最伟大的推销员》第二十九章
文档格式:DOC 文档大小:25.5KB 文档页数:1
据说,由于地球自转减慢,再过 1,800,00O 个世纪以后,每天将有二十五个小时! 不过,看起来你是等不到那额外的一个小时,好使你卖掉更多的东西,赚更多的钱了。然而事实上, 现在你所拥有的每天二十三小时五十六分四点零九秒得到充分利用了吗? 乔治·塞维兰斯现在是美国俄亥俄州人寿保险公司最著名的推销员。但是他曾经穷困潦倒甚至走投 无路
《线性代数》第一章 行列式
文档格式:PPT 文档大小:1.63MB 文档页数:54
本章由线性方程组的解法入手,引出行列 式的概念,再利用行列式的知识解决方程 组的相关问题。 主要内容:n阶行列式的定义、性质及其计 算方法。 §1.1二阶与三阶行列式 • 一、二阶行列式的引入 • 二、三阶行列式 • 三、小结 §1.2全排列及其逆序数 • 一、概念的引入 • 二、全排列及其逆序数 • 三、小结 §1.3 n阶行列式的定义 • 一、概念的引入 • 二、n阶行列式的定义 • 三、小结
《GIS概论讲义》对于点实体
文档格式:DOC 文档大小:34KB 文档页数:2
对于点实体,矢量结构中只记录其在特定坐标系下的坐标和属性代码; 对于线实体,在数字化时即进行量化,就是用一系列足够短的直线首尾相 接表示一条曲线,当曲线被分割成多而短的线段后,这些小线段可以近似地看成 直线段,而这条曲线也可以足够精确地由这些小直线段序列表示,矢量结构中只 记录这些小线段的端点坐标,将曲线表示为一个坐标序列,坐标之间认为是以直 线段相连,在一定精度范围内可以逼真地表示各种形状的线状地物; “多边形”在地理信息系统中是指一个任意形状、边界完全闭合的空间区域
《高分子物理》课程教学资源(实验讲义)实验七 小角激光光散射法测定
文档格式:DOC 文档大小:225.5KB 文档页数:5
全同立构聚丙烯球晶半径 小角激光光散射(Small Angle Laser Scattering,以下简称 SALS)法被广泛地用 来研究聚合物薄膜、纤维中的结构形态及其拉伸取向、热处理过程结构形态的变化、 液晶的相态转变等,已成为研究聚合物结构与性能关系的重要方法。SALS 表征的 聚合物结构单元的大小在 10-10m 到 10-8m 之间
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