一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、等离子体刻蚀机制 四、未来的纳米光刻技术

一、MEMs发展简介 二、MEMs的制备技术基础 三、典型应用的MEMs

一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、 等离子体刻蚀机制 四、未来的纳米光刻技术

一、气体的放电现象与等离子体 二、物质的溅射效应和溅射产额 三、各种各样的溅射技术

一、 MEMs发展简介 二、MEMs的制备技术基础 三、典型应用的MEMs

一、薄膜材料 二、薄膜材料的应用 三、薄膜技术所研究的内容 四、薄膜材料与纳米技术

P100第9题 绝对精度相同，相对精度不同；两条直线 的相对误差分别为1/7500和1/17500， 后者精度高于前者

(1)y=180°-a-B=n+==

一、名词解释：大地水准面、大地体、旋转椭球体、天文坐标、大地坐标、高程、绝对高程（海拔）、相对高程（假定高程）、水准原点

一、 视准轴不平行于水准管轴 二、 水准尺误差