6–1 反馈的基本概念及基本方程 6–2 负反馈对放大器性能的影响 6–3 反馈放大器的分类及对输入、输出阻抗的影响 6–4 反馈放大器的分析和近似计算 6–5 反馈放大器稳定性讨论 6—6 运算放大器的小信号闭环带宽、压摆率及功率带宽

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻

本课程是一门将微机原理与单片机结合起来的技术基础课，通过本课程的学习，目的是使学生能掌握单片微机的组成结构、工作原理、编程方法和接口技术等方面的知识，培养学生的微机应用能力。其主要任务是讲授微机基本组成、MCS—51单片机结构，汇编语言程序设计、中断与定时、并行接口、模拟与数字转换接口和串行接口等内容

6.7.1 共源极放大电路 合适的静态工作点Q

10-5 已知U2=20 UO(AV)=0.9U2=0.9×20＝18V IO(AV)= UO(AV)/ RL=18/1=18mA ID(AV)= IO(AV)/2=18/2=9mA URM = 2U2 = 1.41 20 = 28.2V

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空 内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （ 1） 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ）

重点：是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。因此，讲述管子的内部结构和载流子的运动的目的是为了更好地理解管子的外特性，应引导学生不要将注意力过多放在管子内部，而以能理解外特性为度。难点：半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理是学习的难点

一、（1）× （2）√ （3）√ × （4）√ （5）× （6）√ 二、（1）B （2）C （3）A （4）D