采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．

第一章 多项式 第二章 行列式 第三章 线性方程组 第四章 矩阵 第五章 二次型 第六章 线性空间

⒈一些基本概念 ⒉主要内容 ⒊课程意义 ⒋学习本门课程应注意的问题 ⒌教材及参考书

➢7.1概述 ➢7.2可编程逻辑器件基础 PLD逻辑表示法 逻辑阵列的PLD表示法应用举例 ➢7.3 通用阵列逻辑GAL

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

5.1时序逻辑电路的特点和表示方法 5.2时序电路的分析方法 5.3寄存器 5.4计数器 5.5顺序脉冲发生器 5.6时序电路的设计方法

一、卡诺图化简法直观方便，过程简单明了，但只适合于变量数<=4的函数。 二、Q-M(Quine-McCluskey) 法和卡诺图法的化简思路是一致的:两相邻最小项可以合并,消去一个变量. [1952，1956]

6.1 二进制并行加法器 6.2 数值比较电路 6.3 译码器 6.4 多路选择器 6.5 计数器 6.6 寄存器 6.7 只读存储器 6.8 可编程逻辑阵列

3.9用中规模集成电路构成的组合逻辑电路的分析与设计 3.10 组合逻辑电路的竞争-冒险