第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

7.1集成计数器 7.2集成寄存器和移位寄存器 7.3序列信号发生器 7.4以MSI为核心的同步时序电路的分析与设计

4.1组合逻辑电路的分析 4.2组合逻辑电路的设计 4.3常用MSI组合逻辑器件及应用 4.4组合逻辑电路中的竞争与冒险

第1~3章检测题(150分钟,满分130分) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1.任何一个完整的电路都必须有电源、负载和中间环节3个基本部分组成。具有单 一电磁特性的电路元件称为理想电路元件,由它们组成的电路称为电路模型。电路的作用 是对电能进行传输、分配和转换;对电信号进行传递、存储和处理 2.反映实际电路器件耗能电磁特性的理想电路元件是电阻元件;反映实际电路器件 储存磁场能量特性的理想电路元件是电感元件;反映实际电路器件储存电场能量特性的理 想电路元件是电容元件,它们都是无源二端元件

目录 第1章绪论 第2章大规模可编程逻辑器件 第3章VHDL编程基础 第4章常用EDA工具软件操作指南 第5章EDA实验开发系统 第6章VHDL设计应用实例

第七章半导体存储器 存储器—用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类: 根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类: (1)随机存取存储器(RAM)也叫做读/写存储器。既能方便地读岀所存数据,又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失 (2)只读存储器(ROM)。其内容只能读出不能写入存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。存储器的容量:存储器的容量=字长(n)×字数(m)

(一)实验目的 1.初步了解纳米材料及其制备方法。 2.了解超临界流体干燥的基本原理。 3.学习和实践超临界流体干燥的基本操作。 (二)实验原理 1.纳米粒子及其制备方法 纳米粒子一般是指尺度在1-100nm的粒子。由于这种粒子具有量子效应、小尺寸效 应和表面效应,以及与普通粒子迥然不同的电学、热学和催化特性,纳米材料已在微型生 物器件、电子功能材料、涂料和高效催化剂等许多领域得到推广和应用

存储器概述 存储器—存放大量二进制数字的器件。 按材料分类 1、磁介质类软磁盘、硬盘、磁带 2、光介质类CD、DVD、MO 3、半导体介质类 FLASH ROM、 SDRAM、 EEPROM 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,磁盘, ROM: CD, DVD, FLASH ROM. EEPROM 性能指标

从事电子元器件、连接器、线缆、线缆组件、电动车充电设备功能模块、太阳能功能模块、风能功能模块、电动车充电设备整机、太阳能整机、风能整机的生产加工。迁扩建后经营范围增加:光通信无源及有源模组、无线信号屏蔽器、无人机防控设备、通信整机的生产加工,项目迁扩建后生产工艺、生产设备、产污环节均保持不变

4.1组合逻辑电路的分析 4.2组合逻辑电路的设计 4.3常用MSI组合逻辑器件及应用 4.4组合逻辑电路中的竞争与冒险