复旦大学：《纳米线材料和功能器件》课程教学资料_纳米线电子器件_Encoding Electronic Properties by Synthesis of Axial Modulation-Doped Silicon Nanowires

复旦大学：《纳米线材料和功能器件》课程教学资料_纳米线电子器件_Piezotronic Nanowire-Based Resistive Switches As Programmable Electromechanical Memories

复旦大学：《纳米线材料和功能器件》课程教学资料_纳米线电子器件_Logic Gates and Computation from Assembled Nanowire Building Blocks

纳米电子学以 一、微电子技术今后发展将受到的限制 二、量子电子器件 纳米电子器件的发展 三、单电子晶体管,单电子存储器,逻辑电路 四、分子电子学和分子电器件 五、原子电器件 六、纳米电器件的集成和量子计算机 七、微电子技术过去30年的发展

一、纳米材料概论 二、纳米材料的生物性 三、纳米材料的毒理学及安全性 四、纳米器件性能可靠性分析案例

主要内容（纳米电子学部分） 一、绪论 二、纳米结构制作技术 三、纳米电子学基础 四、纳米电子器件 总结： • 1、纳米技术简介 • 2、纳米结构加工技术 • 3、纳米电子基础 • 4、纳米器件简介

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

基于前驱体合成与氨气氮化两步法，通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控，实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源，尿素为氮源，硼酸与尿素摩尔比为1∶30，甲醇和去离子水作为分散剂，利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征，利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明：合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片（h-BNNSs），纯度高，形貌类石墨烯，层数为2～4层，厚度平均为1 nm，比表面积为871.8 m2·g?1，单次产物质量平均可达240 mg，合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作，实现了大比表面积少层氮化硼的制备，有助于氮化硼在各应用领域的研究，如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等

柔性电子器件具有独特的形状可塑性，因而引起了人们极大的研究热情.柔性电子器件在未来或将成为下一代电子器件的重要分支，在电子显示、二极管、生物医疗器件、太阳能电池等领域有着广阔的发展前景.近些年，许多研究人员将柔性技术与自旋电子学相结合，开始探索应变对于生长在柔性衬底上的磁电异质结磁电性质的影响，通过改变柔性衬底的曲率等手段调控器件的磁电效应.相关基础研究为磁存储器、磁传感器、非易失性阻变存储器等电子器件的研究开辟了新思路