7.2非正弦波信号产生电路 7.2.1电压比较器 7.2.2方波产生电路 7.2.3压控方波产生电路

9.1功率放大电路概述 能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路(简称功放)、 9.1.1功率放大电路的特点

本章习题中的集成运放均为理想运放。 7.1分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。 (1)比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地,而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 (2)比例运算电路的输入电阻大,而比例运算电路的输入电阻小

4.5.1集成运放基本使用知识 一、集成电路器件命名及主要性能指标 1.国标GB-3430-82对集成电路的规定

·1.1电路和电路模型 1.2电流、电压及其参考方向 ·1.3电功率与电能 ·1.4电阻元件 1.5电压源和电流源 1.6基尔霍夫定律 1.7用电位的概念分析电路

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

3.1正量的特值及示方法 31.1正弦量的特征值 3.1.2正弦量的表示方 3.2正弦交流电路的分析与计算 3.2.1单一参数的正交流电路

3.1.1直接耦合 将前一级的输出端直接连接到后一级的输入端称为直接耦合

9.1 单相整流滤波电路 9.1.1 单相整流电路 9.1.2 滤波电路 9.2 线性集成稳压器 9.2.1 串联型稳压电路的工作原理 9.2.2 三端固定集成稳压器 9.2.3 三端可调输出集成稳压器 9.3 开关集成稳压电源 9.3.1 开关稳压电源的基本工作原理 9.3.2 集成开关稳压器及其应用