点击切换搜索课件文库搜索结果(737)
文档格式:PDF 文档大小:3.08MB 文档页数:13
利用实验及CFD模拟软件分别研究非空调工况下以及空调工况的送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及送氧方式、不同的气流组织形式(同侧上送下回、异侧上送下回)等发生变化对密闭建筑缺氧房间的富氧特性及富氧效果的影响. 结果表明: 非空调工况下, 送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及送氧方式不同, 所形成的富氧区域差别较大, 宜采用管径为6 mm的相背45°的双送氧口进行送氧, 所形成的富氧面积为最大; 空调工况下, 送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及气流组织形式不同, 所形成的富氧区域形状大体相似, 均为\椭圆\形状, 宜采用送氧口管径为6 mm的单送氧口且异侧上送下回的气流组织形式; 空调工况下, 送氧流量相同时, 送风风速为0.85 m·s-1所形成的富氧面积比送风风速为1 m·s-1所形成的富氧面积大约20%;当送风风速均为0.85 m·s-1, 送氧流量为1.5 m3·h-1所形成的富氧面积约为0.96 m2, 该富氧面积与单人次活动范围面积相当, 适宜作为空调工况下缺氧房间单人次的富氧基础供氧量. 模拟结果可为缺氧空调房间供氧装置的选择、布置、降低新风量、降低空调能耗等方面提供参考
文档格式:PPT 文档大小:72KB 文档页数:20
11.1 SQL Server2000的安全机制 11.2管理服务器的安全性 11.3管理数据库的用户 11.4管理数据库的角色 11.5权限管理
文档格式:PDF 文档大小:1.06MB 文档页数:8
Ruhrstahl-Hereaeus (RH)上升管内的气液两相流是整个装置的重要动力源,并对钢液的流动、混匀及精炼过程有重要影响.上升管及真空室内的气液两相流决定了钢包内钢液的流动状态,为了研究真空室及上升管内气液两相流,通过1:6的300 t RH的物理模型模拟了RH上升管及真空室内气泡行为过程,并测量了RH循环流量的变化用于计算上升管内含气率以及气泡运动速度最终得到气泡在真空室内的停留时间,同时记录了气泡在真空室内的存在形式.气泡在真空室的存在形式的主要影响因素为提升气体流量,研究发现了气泡从规则独立的大气泡经历聚合长大,碰撞破碎成小气泡,最后变成小气泡和不规则大气泡共存的现象.液面高度达到80 mm之后,气泡在真空室内的停留时间达到一个平衡值,不再随真空室液面高度的增加而发生改变.当提升气体量达3000 L·min-1,气泡停留时间减小趋势弱,对应3000 L·min-1情况下,真空室内气泡开始聚合长大.研究认为对于300 t RH的真空室液面高度应为80 mm,提升气体量应在3500 L·min-1左右,优化后,脱碳时间由原工艺的21.4 min缩短至现工艺的17.5 min
文档格式:PPT 文档大小:190KB 文档页数:43
第一节管理的概念 所谓管理,就是在特定的环境下,对组织所拥有的资源进行有效的计划、组织、领导和控制,从而达成既定的组织目标的过程。 因此,管理具有以下特征: 1、管理的对象:组织及组织要素 组织就是由两个或两个以上的人组成的为实现一定目标而进行的协作活动的集体
文档格式:PPT 文档大小:137KB 文档页数:12
7.1.1网络管理的定义和目标 7.1.2网络管理的基本功能 7.1.3网络管理模型
文档格式:PDF 文档大小:4.08MB 文档页数:7
在薄壁结构的应用中,屈曲稳定性是影响其承载性能的关键因素,为研究减薄铺层厚度对复合材料薄壁结构局部屈曲行为的影响,本文采用不同厚度(0.125、0.055和0.020 mm)的预浸料制备复合材料薄壁管,实验测试了其在轴压下的局部屈曲行为.实验结果表明,随着铺层厚度减薄,实验采用的正交和均衡两种铺层方式的复合材料薄壁管局部屈曲载荷均随之提高,而屈曲失效模式没有发生改变.力学分析表明,铺层厚度减薄后,管壁弯曲刚度的改变和层间剪切应力分布对薄壁管局部屈曲载荷提高有重要影响.采用薄铺层制备复合材料薄壁结构件能够有效提高其局部屈曲能力
文档格式:DOC 文档大小:236KB 文档页数:4
朱蕾 人工气道是将导管直接放入气管或经上呼吸道插入气管所建立的气体通道,不仅用于机械通气 也用于气道分泌物的引流。人工气道主要有气管插管和气管切开
文档格式:DOC 文档大小:238KB 文档页数:12
尽管当代呼吸支持技术的应用抢救了许多呼吸衰竭患者的生命,但气管插管和机械通 气的应用却不可避免带来许多相关的并发症,怎样在危重患者的抢救过程中更好地发挥机械 通气抢救患者的优点,充分发挥呼吸支持的最大效能,减少或避免气管插管及机械通气相关 并发症的发生,尽可能维护患者的肺功能,并尽早完成恢复患者的自主呼吸,完全脱离呼吸 机,成为从事呼吸支持技术领域的医务人员所面临的重大课题
文档格式:PPT 文档大小:1.73MB 文档页数:13
微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
文档格式:PPT 文档大小:74.5KB 文档页数:28
一、关于政府管制 二、政府管制的原因 三、管制的目的 四、管制与竞争的关系
首页上页6465666768697071下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 737 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有