2.1 数学基础 2.2 物理系统的微分方程描述 2.3 传递函数 2.4 方框图 2.5 信号流图 总结

1.1 简谐振动的描述 1.3 简谐振动的动力学方程 1.2 简谐振动的矢量图表示法 1.4 两个简谐振动的实例 1.5 简谐振动的能量

第1章 绪论； 第2章 土的物理性质及分类； 第3章 地基的应力和沉降； 第4章 土的抗剪强度； 第5章 土压力、地基承载力和土坡稳定性； 第6章 地基勘察； 第7章 浅基础常规设计； 第8章 桩基础； 第9章 软弱土地基处理

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

• 1.1 相干性的光子描述 • 1.2 光的受激辐射基本概念 • 1.3 光的受激辐射放大 • 1.4 光的自激振荡

第一节 超声诊断物理基础 第二节 超声成像原理 第三节 声像图分类 第四节 超声检查的方法学 第六节 图像分析方法

1.1 磁场、磁性和基本磁学量 1.2 孤立原子的磁性 1.3 宏观物质的磁性质 1.4 磁性体的热力学基础

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等