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《网页设计与制作》课程教学资源(试卷习题)全国2006年7月高等教育自学考试
文档格式:DOC 文档大小:36.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 25 小题,每小题 1 分,共 25 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、 多选或未选均无分。 1.HTML 语言中,设置链接颜色的代码是( C ) A. B. C. D
《网页设计与制作》课程教学资源(试卷习题)全国2005年4 月高等教育自学考试
文档格式:DOC 文档大小:760.5KB 文档页数:9
一、单项选择题(本大题共 20 小题,每小题 1 分,共 20 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.域名系统能够将( D ) A.域名转换成主机名 B.主机名转换成域名 C.主机名转换成 IP 地址 D.域名转换成 IP 地址
华中科技大学:《研究生考试题库》习题库(二)2001年研究生入学考试工程生理学
文档格式:DOC 文档大小:50.5KB 文档页数:4
一、填空题每小题分共3分 1.命活动的三大本持征是_- 2.以载体蛋白质中介的化扩牧具有三项特点 3.利经细胞ㄈ位的人小干平衡电位共动电的大小近于半衡电位
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:77KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.三极管β值是反映( )能力的参数。 A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:126.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力,可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈
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