半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点

第一节 存储器管理概述 第二节 分区存储管理 第三节 虚拟存储器 第四节 分页存储管理 第五节 段式存储管理 第六节 段页式存储管理

通过Gleeble热模拟实验机模拟了X100管线钢的粗晶热影响区（CGHAZ）及再热临界粗晶热影响区（ICCGHAZ）微观组织。采用电化学测试、浸泡实验及表面分析技术研究了交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ在库尔勒土壤溶液中的腐蚀行为。结果表明：交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ都表现为活性溶解，平均腐蚀速率随交流电流密度的增大而增加。交流干扰造成的极化电位振荡幅值及微观组织对X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ的平均腐蚀速率和腐蚀形貌有着重要影响。在5 mA·cm?2交流电流密度干扰下，母材的腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，ICCGHAZ的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都居中；在20 mA·cm?2及50 mA·cm?2交流电流密度干扰下，ICCGHAZ腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，母材的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都仍居中。在20 mA·cm?2交流电流密度交流干扰下，X100管线钢发生局部腐蚀，CGHAZ、ICCGHAZ发生明显的晶界腐蚀，GCHAZ晶界腐蚀形貌呈缝隙状、ICCGHAZ晶界腐蚀形貌为连续孔洞

管理学原理 前言 第一章管理、管理学和管理者 第二章管理思想的演变 第三章管理的决策 第四章计划 第五章组织 第六章领导 第七章控制

第一章管理基础 第一节管理与管理系统 认识学习《管理学基础》的重要性、《管理学基础》课程的定位、内容 教学结构和教学与考核方法

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算

§1 饭店管理概述 §2 饭店管理的理论基础 §3 饭店管理的基本职能 §4 饭店管理的基本方法 §5 饭店管理的新观念

第一章 导论 第二章 运营战略 第三章 产品开发 第四章 质量管理 第五章 预测 第六章 选址 第七章 产能规划 第八章 流程策略与设施布置 第九章 综合计划 第十章 MRP与ERP 第十一章 作业计划 第十二章 库存管理 第十三章 供应链管理 第十四章 精益管理 第十五章 服务运营管理 第十六章 运营管理前沿

公用设备工程,如通风空调、采暖供热、 燃气供应、建筑给水排水等,需要将流体输 送并分配到各相关设备,或且从各接受点将 流体收集起来输送到指定点。承担这一切功 能的管网系统称为流体输配管网,它包括管 道系统、动力系统、调节装置、末端装置及 保证正常工作的其他附属装置