2.1 纳米材料的基本理论 •量子尺寸效应 •小尺寸效应 •表面效应 •宏观量子隧道效应 •库仑堵塞与量子隧穿效应 •介电限域效应 •量子限域效应 2.2 纳米微粒的物理特性 ◆ 纳米微粒的热学性能 ◆ 纳米微粒的光学性能 ◆ 纳米微粒的电学性能 ◆ 纳米微粒的磁学性能 ◆ 纳米微粒的力学性能 2.3 纳米微粒的化学特性 2.3.1 纳米微粒的吸附特性 2.3.2 纳米微粒的催化反应

1、课程性质 材料研究与测试方法是材料学专业学生重要的专业基础课。 2、课程的目的和任务 讲述无机非金属材料的分析方法，主要包括光学显微分析、X 射线衍射分析、电子显 微分析、热分析、光谱分析等，通过课程的学习使学生对各种现代分析方法有一个初步的 认识，能够了解各种分析方法的基本原理、过程、装备及应用，掌握相应的基本知识、基 本技能及必要的理论基础，为无机非金属材料工艺学的学习及今后的科学研究工作打下坚 实的基础

第一章 X射线光电子能谱基本原理 第二章 结合能与化学位移 第三章 电子能谱仪构造 第四章 谱图一般特征 第五章 定性分析方法 第六章 定量分析和深度剖析方法 第七章 数据处理方法 第八章 在材料科学中的应用

8.5.1配位场化学 化合物着色的最重要的来源是过渡族元素 (cr,mn,fe,o,Ni)或稀土元素离子(钕、铒、钬 等),它们或出现于固溶体中,或以晶体的固有阳离 子存在。 这些元素在电子占据轨道方面不同于主族元素。如对 于过渡族元素,主要涉及能量很相近的部分添满的3d 轨道(简并能级)

使用X射线衍射(XRD)、光镜(OM)、电子扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等对在Al-8.5Fe-1.4V-1.7Si合金中原位反应生成TiC的喷射沉积坯件的显微组织进行了分析和研究.结果表明,原位反应生成的TiC颗粒在喷射沉积过程中抑制了针状相的形成,改善了合金的显微组织,生成的TiC颗粒均匀地分布在合金基体中

通过运用点线面体不同元素的分合聚敌的构成进行立体和半立体的造型设计,在原有对平面形式规律认识的基础之上,增加对材料,质感,立体空间和透视角度的认识,并且通过光影表现,丰富艺术表现的语言和魅力

《大学物理》 《大学物理实验 I》课程实验 《高等数学（代数、变换）》 《电工学》 《大学物理实验 II》课程实验 《自动控制技术》 《模拟电子技术》 《数字电子技术》 《单片机原理与应用》 《电子测量》 《电动力学》 《EDA 技术》 《工程制图与 CAD》 《网络原理与技术》 《量子力学》 《热力学与统计物理》 《传感器应用与实验》 《高级程序设计》 《电子产品生产组织与管理》 《可编程控制器（PLC）应用》 《工业计算机与工控组态技术》 《光机电一体化》 《电子线路设计》 《高频电子线路》 《光电新材料导论》 《电力系统基础》 《电力电子学》 《通信技术基础》 《数字信号处理》 《应用电子技术综合实验》课程实验 《机电产品装配工艺与技能实训》 《电子电路故障诊断》 《光伏应用技术》 《电子产品制造工艺》 《智能仪器与仪表》

存储器概述 存储器—存放大量二进制数字的器件。 按材料分类 1、磁介质类软磁盘、硬盘、磁带 2、光介质类CD、DVD、MO 3、半导体介质类 FLASH ROM、 SDRAM、 EEPROM 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,磁盘, ROM: CD, DVD, FLASH ROM. EEPROM 性能指标

聚酰亚胺（polyimide，PI）由于具有较好的力学性能、优异的耐化学性、良好的介电性能和高温稳定性，被认为是一种应用前景广泛的高温工程聚合物。聚酰亚胺的各类制品如薄膜、涂料、胶黏剂、光电材料、先进复合材料、微电子器件、分离膜以及光刻胶等已经被广泛应用于电子信息、防火防弹、航空航天、气液分离以及光电液晶等领域。聚酰亚胺气凝胶（PIA）是由聚合物分子链构成的相互交联的三维多孔材料，结合了聚酰亚胺和气凝胶的优异性能，使其不但具有聚酰亚胺的优异特性，而且具有气凝胶的轻质超低密度、高比表面积、低导热系数以及低介电常数等突出特点，因此聚酰亚胺气凝胶材料迅速发展成为性能优异的有机气凝胶之一，并且在航空航天、电子通讯、隔热阻燃、隔音吸声以及吸附清洁等领域展示出广阔的应用前景。鉴于该材料的这些特质，本文对聚酰亚胺气凝胶的制备方法、影响因素（溶剂效应、单体结构和固含量）以及应用进行了论述，并对聚酰亚胺气凝胶材料的未来发展进行了展望

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析