第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

一、光电效应实验的规律 (1)实验装置 光照射至金属表面,电子从金属表面逸出,称其为光电子。 (2)实验规律

1. X射线光电子能谱及其特性 2. 电子能级及其表示 3. 光电效应 4. 俄歇效应 5. 表面与表面灵敏性

一、选择题(共 30 分) 1. 已知一单色光照射在钠表面上，测得光电子的最大动能是 1.2 eV，而钠的红限波长是5400Å，那么入射光的波长是 ( ) (A)5350 Å． (B)5000 Å． (C)4350 Å． (D)3550 Å．

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

光电效应: 光照射某些金属时能从表面释放出电子的效应 产生的电子称为光电子 光电效应是赫兹在1887年发现的.1896年汤姆逊发现了电 子之后,勒纳德证明了光电效应中发出的是电子

1.1光电系统描述 1.2光接收机视场 1.3光电探测器的物理效应 1.4光电转换定律和光电子计数统计 1.5光电探测器性能参数 1.6光电探测器的噪声 1.7幅度学与光度学 1.8背景辐射 1.9探测器光谱响应率函数的测试方法

1. XPS谱图的初级结构 1. 光电子谱峰 2. 俄歇电子谱峰 3. 价带谱 2. XPS谱图的次级结构

愿意、光电效应实验的规律 (1)实验装置 光照射至金属表面,电子从金 属表面逸出,称其为光电子 (2)实验规律 截止频率(红限) 0 仅当>V才发生光电效应, 截止频率与材料有关与光强无关