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文库搜索结果(249)
电子科技大学:《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源(课件讲稿)第5章 金属氧化物薄膜晶体管
文档格式:PDF 文档大小:3.87MB 文档页数:50
5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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电子科技大学:《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源(课件讲稿)第4章 低温多晶硅薄膜晶体管
文档格式:PDF 文档大小:3.51MB 文档页数:77
4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术
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电子科技大学:《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源(课件讲稿)第3章 氢化非晶硅薄膜晶体管
文档格式:PDF 文档大小:3.39MB 文档页数:55
3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性
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东北大学:《电工与电子技术(模拟电路)》课程教学资源(PPT课件讲稿)第14章 二极管和晶体管
文档格式:PPT 文档大小:833.5KB 文档页数:42
14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
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复旦大学:《模拟电子技术基础 Fundamental of Analog Electronics 模拟电子学基础》课程教学资源(电子教案课件讲稿)Chapter 03 晶体管放大器(唐长文)
文档格式:PDF 文档大小:865.33KB 文档页数:112
放大器概述 放大器的一般描述 分析放大器的一般方法 晶体管单管放大器 单管放大器的一般结构 单管放大器的分析方法 单管放大器的频率特性 单管放大器的比较 双管组合放大器 双管组合放大器的特点: 发挥基本放大器的优点,避免其缺点 双管组合电路的基本形式: 共射-共基电路和共源-共栅电路 共集-共集电路 共集-共射电路 共集-共基电路 复合管 多级放大器的级间耦合方式 直接耦合 阻容耦合 变压器耦合
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复旦大学:《模拟集成电路设计原理 Principle of Analog Integrated Circuit Design》课程教学资源(电子教案课件讲稿)Chapter 11 基本晶体管级的非线性
文档格式:PDF 文档大小:0.98MB 文档页数:91
定义:HD, IM, 交调点 MOS管的非线性 单端放大器 差分放大器 双极型晶体管的非线性 负反馈能够减小非线性 运算放大器的非线性 其他非线性和准则
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西北工业大学:《数字电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第八章 脉冲电路(8.2)晶体管开关
文档格式:PPT 文档大小:727.5KB 文档页数:18
1、晶体二极管开关特性 2、二极管限幅器及钳位器 3、晶体管开关特性 4、晶体三极管反相器
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西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十六章 器件技术
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:56
通过本章的学习,将能够: 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响; 2. 对PN结进行描述,讨论其重要性,并解释其反向偏压和正向偏压的不同; 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能,偏压、结构及应用; 4. 描述 CMOS 技术的基本特征,包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别; 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质; 7. 列举一些集成电路产品,描述其各自的一些应用
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《电工电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第10章 电子电路中常用的元件 10.6 晶体管
文档格式:PPT 文档大小:391KB 文档页数:14
10.6.1 晶体管的基本结构 10.6.2 电流分配和电流放大作用 10.6.3 特性曲线 10.6.4 主要参数
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安徽电气工程职业技术学院:《数字电子技术》课程教学资源_实验三 CMOS 集成逻辑门的逻辑功能与参数测试
文档格式:PDF 文档大小:24.56KB 文档页数:3
一、实验目的 l.掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2.学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1.CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中,成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路,CMOS 集成电路的
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