FET的小信号等效模型电路十分简单,由于栅源之间的输入 阻抗很高,无输入电流,故呈开路状态。其漏源之间在恒流区 工作时,也是一个正向受控电流源,输出受Gs控制,为表 示uGs对i的控制能力,通常来表示

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

2.2.1 BJT参数的温度特性 2.2.1.1 β的温度特性 2.2.1.2 ICBO的温度特性

6.1.1某集成运放的一单元电路如图题6.1.1所示,T、T2的特性相同,且BJT的B足够 大,问:(1)T、T2和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出Ie和Ie2的表达式。 设|Vm|=0.7V,Vc和R均已知

2.1集成电路运算放大器 2.1.1电路如图题2.1.1(主教材图2.1.3)所示,运放的开环电压增益 A。=10°,输入电阻7=10°,输出电阻rn=750,电源电压V.=+10V, V.=-10v。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值tp-v=?

2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用

1绪论 2运算放大器 3二极管及其基本电路 4双极型三极管及放大电路基础 5场效应管放大电路 6模拟集成电路 7反馈放大电路 8功率放大器 9信号处理与信号产生电路 10直流稳压电源

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项