总复习 2010年6月18日
1 总复习 2010年6月18日
第一章绪论 必信号及其频谱：正孩波信号，周期性方波信 号，任意周期函数，非周期信号频谱，模拟 信号和数字信号 ?放大电路的基本知识：放大电路，电压放大 电路模型，放大电路的主要性能指标 2
2 第一章绪 论 v信号及其频谱：正弦波信号，周期性方波信 号，任意周期函数，非周期信号频谱，模拟 信号和数字信号 v放大电路的基本知识：放大电路，电压放大 电路模型，放大电路的主要性能指标
正弦波信号 正弦波电压幅值与时间的函数关系是最简单的信号。 当'm、o和均为已知常数时，信号中就不再含有任 何未知信息。 v(t)=Vsin(@t+0) 2m= π 细 一Vr 3
3 正弦波信号 v 正弦波电压幅值与时间的函数关系是最简单的信号。 当V m 、w和q均为已知常数时，信号中就不再含有任 何未知信息。 v (t) =V (wt + q ) m sin
任意周期函数 ?任意周期函数只要满足狄利克雷条件都可以展开成傅 里叶级数。方波信号展开为傅里叶级数表达式： d)= V 2兆 基波 2 sin in3esin 3 直流分量 2π 00= T 2业 sin @ot π 2Vs 2Vs 3元 2Vs 5π @0 3 5wo 4
4 任意周期函数 v 任意周期函数只要满足狄利克雷条件都可以展开成傅 里叶级数。方波信号展开为傅里叶级数表达式： ( ) t V T t t t V V v t s s s 0 0 0 0 0 sin 2 2 sin 5 ... 5 1 sin 3 3 1 sin 2 2 w p p w w w w p = ˜ ¯ ˆ Á Ë Ê = + + + + 直流分量 基波
非周期信号频谱 ?运用傅里叶变换可将非周期信号表达为一连续频率函 数形式的频谱，它包含了所有可能的频率(0≤0<∞)成 分。 5
5 非周期信号频谱 v 运用傅里叶变换可将非周期信号表达为一连续频率函 数形式的频谱，它包含了所有可能的频率(0£w＜•)成 分
模拟信号和数字信号 冬按时间和幅值的连续性和离散性把信号分为4类； (1)时间连续、数值连续信号； (2)时间离散、数值连续信号； (3)时间离散、数值离散信号； (4)时间连续、数值离散信号。 第(1)类为模拟信号，(2)(3)(4)三类信号属于数字 信号。 6
6 模拟信号和数字信号 v 按时间和幅值的连续性和离散性把信号分为4类； (1)时间连续、数值连续信号； (2)时间离散、数值连续信号； (3)时间离散、数值离散信号； (4)时间连续、数值离散信号。 v 第(1)类为模拟信号，(2)、(3)、(4)三类信号属于数字 信号
第三章半导体二极管及其基本电路 半导体的基本知识：本征半导体，电荷载流 子，多数载流子，少数载流子，自由电子， 空穴，P型半导体，N型半导体，PN结的形 成，耗尽区，扩散运动，漂移运动，势垒 区，PN结的单向导电性 半导体二极管：二极管的VI特性，正向特 性，反向特性 二极管基本电路及分析方法：理想模型，恒 压降模型，小信号模型，折线模型 7
7 第三章半导体二极管及其基本电路 v 半导体的基本知识：本征半导体，电荷载流 子，多数载流子，少数载流子，自由电子， 空穴，P型半导体， N型半导体， PN结的形 成，耗尽区，扩散运动，漂移运动，势垒 区， PN结的单向导电性 v 半导体二极管：二极管的VI特性，正向特 性，反向特性 v 二极管基本电路及分析方法：理想模型，恒 压降模型，小信号模型，折线模型
PN结的单向导电性 必由于I很小，所以PN结在反向偏置时， 基本是不导电 的。 PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，这就是它的 单向导电性。 ip/mA 1.0 0 0.5 1.0 UD/V 8
8 PN结的单向导电性 v 由于I s很小，所以PN结在反向偏置时，基本是不导电 的。 v PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，这就是它的 单向导电性
PN结V-I特性的表达式 在硅二极管PN结的两端，施加正、反向电压时，PN 结的V-I特性可表达为 ip =Is(eral,-1) =I3(e'gkr-1） 式中in为通过PN结的电流，V,为PN结两端的外 加电压，V为温度的电压当量=0.026V,k为波耳滋 曼常数(1.38×1023JK),T为热力学温度，q为电子电 荷(1.6×1019C);e为自然对数的底；I,为反向饱和电 流。 9
9 PN结V-I特性的表达式 v 在硅二极管PN结的两端，施加正、反向电压时，PN 结的VI特性可表达为 ( ) ( 1) 1 = - = - V q kT S V V D S D D T I e i I e 式中i D为通过PN结的电流，V D为PN结两端的外 加电压，V T为温度的电压当量=0.026V，k为波耳兹 曼常数(1.38×10 23J/K)，T为热力学温度，q为电子电 荷(1.6×10 19C)；e为自然对数的底；I s为反向饱和电 流
二极管的V-I特性 二极管的V-I特性和PN结的V-特性基本上是相同的。 in/nmA】 ip/mA 20叶 15 1o4 5 -40 60-40-20 30-20-1000.20.4060.8 Un/V 0.20.40.6 -10外 10叶 204 20 -30 -30 一404 -40叶 in/μA in/μA 图2.3.2硅二极管2CP10的V-1特性 图2.3.3锗二极管2AP15的V-I特性 10
10 二极管的VI特性 v 二极管的VI特性和PN结的VI特性基本上是相同的
