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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_紧束缚近似

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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_专题三绝缘的本质

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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_空晶格模型

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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_Bloch定理

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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_空晶格模型

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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_Bloch定理

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复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第三、四章能带论_专题二单电子近似

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作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

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§2.1 半导体材料特征（一次课） §2.2 半导体结合的性质（一次课） §2.3 量子力学基础（一次课） §2.4 半导体能带和导电机制（一次课）

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一. 电子共有化晶体具有大量分子、原子或离子有规则排列的点阵结构