8.1 OLED基础 8.2 OLED显示器的有源驱动技术 8.3 有机发光TFT 8.4 AMOLED像素补偿电路 8.5 AMOLED制造工艺技术

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

利用X射线技术检测了普通工艺和改进工艺制备的内联导电铝膜的织构.分析表明,高体积量且锋锐的{111}面织构可以大幅度降低大规模集成电路芯片的失效率.讨论了失效的原因及{111}织构的有利作用.指出了新一代内联导电铜膜相应织构问题的重要性

一、概述 液晶显示器（LCD）特点： 优点：功耗低、平面、体轻、无辐射。 缺点：低温特性差（反应时间长）。 反应时间与液晶盒两端电压以及材料的粘 度有关，而二者又与温度有关。 在0度以下，反应时间会大大降低，使显示 迟缓

透射电子显微镜成像时,电子束是透过样 品成像。由于电子束的穿透能力比较低, 用于透射电子显微镜分析的样品必须很薄 根据样品的原子序数大小不同,一般在 50~500nm之间。制备透射电子显微镜分析 样品的方法很多,这里介绍几种常用的制 样方法

第一章 硅的基本性质 第二韋 硅的提纯 第三章 晶体生长原理和基本技术 第四章 硅的体单晶生长和硅片加工 第五章 硅和硅基薄膜的外延生长 第六章 硅材料的测试与分析 第七章 硅中的缺陷 第八章 硅中的杂质

第一节 风障畦 第二节 阳畦（冷床） 第三节 温床 第四节 软化设施 第五节 塑料薄膜覆盖 第六节 夏季保护设施

表面工程形成一门独立的学科虽然只是近20年的事，但其发展之快、涉及范围之广、对人们生产生活影响之大是当初大多数人所始料未及的。表面工程的概念由英格兰伯明翰大学教授汤·贝尔（TomBell）于1983年首次提出，现已发展成为跨学科的边缘性、综合性、复合型学科。表面工程是将材料表面与基体一起作为一个系统进行设计，利用表面改性技术、薄膜技术和涂镀层技术，使材料表面获得材料本身没有而又希望具有的性能的系统工程。可以说，在材料表面上所发生的各种技术都是表面工程的一部分

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术