《结构力学》电子教案_静定结构的位移（1/3）

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

地下定位面对环境恶劣、干扰、多径等影响,常规算法难以获得高精度的定位结果,同时井下环境多为狭长的巷道,不利于布置定位所需的锚节点,而井下锚节点的布置通常对定位结果有较大影响,因而使用普通的定位方法不足以满足智能采矿所需的高精度定位需求.本文对传统的三边定位算法进行分析,总结了传统三边定位结果产生误差的原因,并提出了改进的算法,通过仿真实验验证了改进算法的有效性.同时通过理论分析误差带,使用最大绝对定位误差用于仿真分析拓扑结构对定位结果精度的影响,提出了对拓扑结构的优化原则,能够根据环境特点以实现定位区域内平均最大绝对定位误差最小为原则得出最优拓扑结构.文中设置了仿真实验和实地实验对改进的算法和拓扑结构优化方法进行了验证,实验结果中,改进的算法能够在相同拓扑结构下减小15%~43%的误差,而在相同算法下优化的拓扑结构能够减小17%~65%,二者结合能够减小误差达74%.结果表明,在相同的定位条件下,改进的定位算法能够明显提高定位结果的精度,同时定位结果与拓扑结构之间也有着密切的联系,根据实际环境灵活布置拓扑结构能够使定位结果的精度进一步提高,将改进的算法与拓扑结构优化方法结合可以实现更高的定位精度

材料辐照损伤是核反应堆材料、尤其是核聚变堆材料所面临的重要问题。高能粒子（中子、离子、电子）辐照在材料中会产生大量的点缺陷，即自间隙原子和空位。这些点缺陷聚集在一起会形成自间隙原子团簇和空位团簇，从而对材料结构和性能的演化产生重要影响。空位团簇包括有空洞、层错四面体、空位型位错环，而自间隙原子团簇则只有自间隙型位错环。本文介绍了两种点缺陷团簇的性质、及其对于以材料辐照肿胀为主要内容的材料辐照损伤性能的影响。作为空位团簇，比较详细介绍了具有本课题组特色的空位型位错环的研究，同时分析了合金元素和氢同位素对空位型位错环的影响。在铁试样中形成的这种空位型位错环尺寸可达100 nm左右，该空位型位错环具有两种柏氏矢量， b =<100> 和 b =1/2<111>，前者的数密度比后者高一个数量级。对于自间隙原子团簇，则重点介绍了与其相关的一维迁移现象及其研究动态，该一维迁移性能有可能是影响高熵合金辐照性能的重要因素

一,为什么要进行位置更新? 位置更新指的是移动台向网络登记其新的位置 区,以保证在有此移动台的呼叫时网络能够正常接续 到该移动台处。移动台的位置更新主要由另一种位置 寄存器——访问位置寄存器(VLR)进行管理。 移动台每次一开机,就会收到来自于其所在位 置区中的广播控制信道(BCCH)发出的位置区识别码 (LAI),它自动将该识别码与自身存储器中的位置区识 别码(上次开机所处位置区的编码)相比较,若相同, 则说明该移动台的位置未发生改变,无需位置更新; 否则,认为移动台已由原来位置区移动到了一个新的 位置区中,必须进行位置更新

本文研究了GH133合金的循环应力应变反应和低周疲劳性能,并作了位错结构和断口观察。通过对比拉压对称（R=-1）试验和恒定最大正应变(εmax=C)试验,证明平均拉应力起降低寿命的作用。位错结构观察证明,循环使共格γ′质点的相界处产生应力场,最终导致位错的萌生并运动,位错运动又进一步增殖位错。位错运动方式是变化的,由成对切割γ′质点到单位错切割γ′质点和位错绕过γ′质点。滑移带位错结构最终可以出现饱和的梯状结构,与典型的驻留带位错结构相似。晶界和双晶界附近位错密度高,具有位错胞结构,同时可以出现沿晶界裂纹和沿双晶界裂纹。在循环交变作用下,材料的破坏过程可以分解为三个主要过程,即在循环作用下产生的材料变形行为的变化,疲劳裂纹的形成和疲劳裂纹不断扩展,直到一定的临界大小而发生最终破坏,这三个过程是不同的但又是相互联系的,宏观疲劳现象可以在此基础上作出适当的说明。对于含有共格γ′沉淀相的低层错能奥氏体合金,许多研究[1—8]指出,其循环反应往往是先循环硬化再循环软化,并具有面排列位错结构。关于循环软化现象,一些作者认为[8],共格沉淀相在位错往复切割下碎化而导致回溶

铝镁合金在制造业中应用广泛, 但其在特定应变率下的塑性失稳不利于加工应用. 溶质原子与位错的交互作用是塑性失稳的微观机理. 本文采用势能曲面过渡态搜索技术计算了铝镁合金中替代型溶质镁原子向位错芯迁移的过渡态, 确认了溶质原子与位错芯的交互作用范围, 并采用过渡态理论估算了迁移扩散所需的时间, 且区分了无空位及有空位参与迁移两种情况. 结果表明, 位错压应力区内的溶质原子迁移无明显规律, 而在位错拉应力区内, 随着溶质原子与位错间距的缩短, 迁移势能垒和系统总能量均逐渐降低. 说明目前广泛采用的经验原子势可以很好地反映溶质原子易朝位错拉应力区偏聚这一现象. 溶质原子迁移的过渡态证实迁移过程中的微观结构变化因溶质原子所处位置不同而各异, 而交互作用范围不超过约2 nm. 空位参与对迁移的辅助作用被量化为迁移热激活时间的缩短, 并得出其可在微秒量级. 当溶质原子完成迁移稳定至位错芯附近, 并不倾向于沿位错线密集分布

配位化合物又称络合物,是一类含有中心金属 原子(M)和若千配位体(L)的化合物(ML)中心 原子M通常是过渡金属元素的原子(或离子,具 有空的价轨道;而配位体L则有一对或一对以上 孤对电子M和L之间通过配位键结合成为带电 的配位离子,配位离子与荷异性电荷的离子相结 合,形成配位化合物有时中心原子和配位体直接 结合成不带电的中性配位化合物分子 个配位化合物分子(或离子)中只含一个中心 原子的叫单核配位化合物含两个或两个以上中 心原子的叫多核配位化合物在多核配位化合物 中若MM之间有键结合在一起的叫做金属簇化之合物

2.1 要点扫描 2.1.1 点缺陷及其平衡浓度 2.1.2 位错的基本类型及柏氏矢量 2.1.3 位错的应力场 2.1.4 位错的弹性能和线张力 2.1.5 作用在位错上的力和 Peach-Koehler 公式 2.1.6 位错间的交互作用 2.1.7 位错的起动力——Peirls-Nabarro 力 2.1.8 FCC 晶体中的位错 2.1.9 位错反应 2.1.10 HCP、BCC 及其他晶体中的位错 2.1.11 晶体中的界面与表面 2.1.12 位错的观察及位错理论的应用 2.2 难点释疑 2.2.1 柏氏矢量的守恒性 2.3 解题示范 2.4 习题训练

本章主要介绍了形位公差的研究对象；形位公差带及形位公差；形位公差的标注；公差原则与公差要求；形位公差的选择及其检测。国家标准规定了7种形位公差带，14个形位公差项目，这些形位公差项目在一定条件下还可互相替代，因此，形位公差的选择比较灵活，在同种工艺条件下可能会有不同的形位公差项目组合