一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填在题后的括号内。错选或未选均无分 1.下列各式中,按增长率由小至大的顺序正确排列的是() .,n!, 2\, B.,2\, nlogn,2100 C.2n, logn, nlogn, n3/2 D.2100, logn, 2n

第一章绪论 1-1结构力学的研究对象和任务 1、结构的概念:结构是在建筑物和构筑物中,起主要受力、传力及支承作用的部分。 2、结构的分类(按构件的几何特征):杆件结构(空间或平面)、薄壁结构(薄板、薄壳)、实体结构。 (b)薄壳 (a)薄板 (c)(坝体)实体结构

重点、要点： 1、 物质的量浓度（mol/L）和滴定度的概念、表示方法及其相互换算。 2、 用反应式中系数比的关系(或物质的量之比)解决滴定分析中的有关量值计算： a、样或基准物质称取量的计算； b、标准溶液浓度的计算； c、各种滴定分析结果的计算

2. 直流传输特性曲线 c区：νI 0(小)，A′→B点

一、选择题(共10题20分) 1.2分(4182)4182p3和298K下,把Pb和Cu(Ac)2溶液发生的反应安排为电池,当获得可逆电功为91.84kJ时,电池同时吸热213.6kJ,因此该过程有:() ()△>0,△S>0 (B)△U0 (C)u>,<0 (D)△U<0,△S<0

Diffusion: Read Plummer Chap. 7, sections 7.1-7.4,, 7.53, 7.5.8 Show that c(zt) Wroexpfzla)I,with a=2VDf, is a solution to Fick's second law of diffusion. ac(z, t) dc(zt) 2. a) What is the intrinsic carrier concentration in Si at 1100 C? b) Calculate the effective diffusivity (including first-order, charged-vacancy corrections)for As impurities in Si at 1100 C for two cases: 1)CAs=10 cm and ii)

一、空题 1.状态方程P(V-b)=RT的偏离焓和偏离熵分别是 H-H* =y-r() _R] dp=+bp=bp和 s-s +RIn= =0: ( )-H(.R) 和S(T2,P2)-S(T,P)还需要什么性质?C;其计算式分别是H(2,2)-h(,P)

一、单项选择题(本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.确定零件真实大小的依据是（ ） A.图样的大小 B.图样上所标注的尺寸数值 C.图样大小或尺寸 D.图样的准确度

一、选择题（每小题 2 分，共 70 分） （1）下列选项中不符合良好程序设计风格的是（ ）。 A）源程序要文档化 B）数据说明的次序要规范化 C）避免滥用 goto 语句 D）模块设计要保证高耦合、高内聚

第5章优化设计(II) 一、本章将学习更多的优化设计知识。 二、内容涵盖: A.使用两种设计优化的方法以及他们是如何工作的 B.如何选择设计变量,状态变量和目标函数的指导 C.做1-2个练习