点击切换搜索课件文库搜索结果(990)
文档格式:PPT 文档大小:655.5KB 文档页数:8
第3套人教初中数学九上 24.4 弧长及扇形的面积(第1课时)弧长和扇形面积课件
文档格式:DOC 文档大小:576KB 文档页数:4
华师大初中数学九下word全册打包教案_华东师大初中数学九下《27章第12课时 圆周长和弧教案长华东师大版
文档格式:DOC 文档大小:155KB 文档页数:4
人教版初中数学PPT_九年级课件120_九年级上课课件80_二十四章15_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(2)课件_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(2)教案
文档格式:DOC 文档大小:159.5KB 文档页数:3
人教版初中数学PPT_九年级课件120_九年级上课课件80_二十四章15_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(2)课件_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(2)同步练习
文档格式:PDF 文档大小:2.03MB 文档页数:7
研究了铸轧AZ31镁合金的高温拉伸性能和变形机制.在300~450℃条件下,分别以恒定拉伸速率10-3 s-1和10-2 s-1进行拉伸至失效试验,在真实应变率为2×10-4~2×10-2 s-1的范围内进行变应变率拉伸试验.当拉伸速率为10-2s-1时,试样在400℃和450℃的延伸率均超过100%;当拉伸速率为10-3 s-1时,试样在400℃和450℃的延伸率均超过200%,该条件下的应力指数n≈3,蠕变激活能Q=148.77 kJ·mol-1,变形机制为溶质牵制位错蠕变和晶界滑移的协调机制.通过光学金相显微镜和扫描电子显微镜观察显示试样断口处存在由于发生动态再结晶和晶粒长大而形成的粗大晶粒,断裂形式为空洞长大并连接导致的韧性断裂
文档格式:DOC 文档大小:220.5KB 文档页数:4
人教版初中数学PPT_九年级课件120_九年级上课课件80_二十四章15_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(1)课件_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(1)教案
文档格式:PDF 文档大小:0.99MB 文档页数:10
研究了高钛球团的焙烧特征和固结行为.随着TiO2含量的增加,球团焙烧难度增大,当TiO2质量分数由10%增加至21%时,高钛球团所需预热时间由12 min延长至26 min以上,焙烧球强度由每个2486 N降低至每个1728 N.高钛球团由于FeTiO3含量高,导致氧化速度慢、预热球氧化程度低,不利于焙烧固结时钛赤铁矿固溶体晶粒的长大,使得球团固结强度差.通过添加NaOH结合润磨工艺增大颗粒表面能和反应活性,促进了固相扩散,并生成少量低熔点化合物,有利于再结晶过程的扩散迁移,使Ti富集在Fe2TiO5中并促进钛赤铁矿晶粒长大,强化了高钛球团焙烧固结,可使预热时间缩短至16 min,球团强度提高至每个2141 N
文档格式:PDF 文档大小:664.36KB 文档页数:6
通过重熔和施加脉冲电流,研究了过共晶Fe-C-B合金凝固组织中初生Fe2B的遗传性和消除方法.当不施加电脉冲时,重熔难以有效消除过共晶Fe-C-B合金初生Fe2B的凝固遗传性.重熔温度较低时施加电脉冲影响凝固组织中初生Fe2B的空间分布但不改变其长杆状形态.提高重熔温度并施加电脉冲能消除凝固组织遗传的影响,使Fe2B由长杆状转变为颗粒状,并明显减少Fe2B的析出
文档格式:DOC 文档大小:388KB 文档页数:3
人教版初中数学PPT_九年级课件120_九年级上课课件80_二十四章15_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(1)课件_人教新课标版初中九上24.4弧长与扇形面积(1)同步练习
文档格式:PDF 文档大小:7.5MB 文档页数:7
通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解
首页上页6869707172737475下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 990 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有