根据准二元合金随其中某种合金元素含量的不同,其合金电阻率发生单值变化的规律,提出了一项硅锰合金电阻法定硅的检测技术.实验结果表明,硅锰合金中硅含量与电阻率变化的关系可表示为[Si%]=-12.51+2×107ρ-4×1012ρ2,当合金中硅的质量分数小于6%时,合金中锰铁比对其电阻率变化的影响不大,定硅误差为0.005%～0.178%.用于电阻率测量的合金样品适合的尺寸为φ6.00～6.50mm、长1cm左右,可以避免试样中夹渣、裂隙等缺陷对电阻测量精度的影响

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6.3.1伪距观测 D=C(T-t),含有时钟误差和大气传播延迟误差顾及卫星和接受机钟差、电离层延迟和对流层延迟误差影响,伪距观测值表达式(6-18)

2.2.1布设原则 包括测图控制网和专用控制网,布设原则同上 2.2.2布设方案