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概述 结构组成 结构布置 构件选型与截面设计 横向排架结构内力分析 柱的设计 柱下独立基础设计 横向排架结构内力分析 柱的设计 柱下独立基础设计
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• 对称的概念 • 晶体的对称要素 • 对称要素的组合规律 • 对称型(点群)及其符号 • 晶体的对称分类
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本章主要内容: 1. 非线性控制系统概述 2. 相平面法 3. 非线性系统的相平面分析 4. 描述函数法 5. 非线性系统的描述函数分析
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方言语法的特点即方言语法与普通话语法的差异。跟语音和词汇相比,语法结构是方言中共性最大的部分。方言语法特点虽然不如语音词汇特点那么多,那么明显,但毕竟还是存在的。总的说来,方言语法特点可以从两种角度来分析,一是考察相同的语法手段在不同的方言里表示的语法意义是否相同,二是考察相同的语法意义在不同的方言里是否用相同的语法手段来表示
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无取向电工钢两相区脱碳退火获得柱状铁素体晶粒可有效改善材料组织的均匀性.本文从动力学角度分析柱状晶的生长过程.柱状晶的形成分为‘形核’和定向生长两个阶段,其中定向生长过程本质上是反应扩散和再结晶长大共同引起的界面迁移,且在动力学上符合抛物线规律,但其生长速率与退火温度之间并非呈单调的变化关系,而是在900℃时呈极大值.最后结合柱状晶生长速率的导出公式得到柱状晶‘晶核’的尺寸约束条件,这对实际生产过程中无取向电工钢脱碳工艺的设计有一定的指导意义
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采用扫描电镜和透射电子显微镜对低碳Ti-Mo系的热轧板进行了组织分析,同时对其中的纳米粒子析出行为进行了研究.强化机理分析表明析出强化对于屈服强度的贡献值可达291 MPa.随着卷取温度的降低,纳米粒子相间析出的排间距会减小,相间析出的排间距与其在铁素体中形核点位置有一定的离散值,但基本上呈一定的固定值.α/γ界面的观察和采用不同理论的计算结果表明相间析出的产生主要与α/γ界面的台阶形成有关,相间析出的排间距大小由台阶高度、晶界扩散系数、等温温度、台阶面迁移速率等决定
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重点掌握: ❖ 广域网中的分组转发机制 ❖ 拥塞控制原理 ❖ 异步传递方式ATM 基本内容: ❖ 广域网的基本概念,虚电路与数据报,广域网中的分组转发机制,拥塞控制原理,X.25网,帧中继FR,异步传递方式ATM。 5.1 广域网的基本概念 5.2 广域网中的分组转发机制 5.3 拥塞控制 5.4 X.25网 5.5 帧中继FR 5.6 异步传递方式ATM
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通过Jominy试验模拟含B低合金超厚钢板的淬火过程,测得不同淬火工艺下实验钢的硬度分布曲线,并借助光学显微镜、俄歇电子能谱等技术手段对低冷速条件下实验钢的显微组织及B晶界偏聚进行了观察和分析.发现在温度不高于920℃条件下,提高淬火温度或适当延长保温时间可显著改善超厚板的淬透性,且在此条件下合适的两次循环淬火可以获得更为理想的淬透性.温度高于920℃后,单次淬火或两次循环淬火均不利于实验钢的淬透性能的改善
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采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板(PCB-HASL)和无电镀镍金电路板(PCB-ENIG)在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明:盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效
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第一节 羧酸的分类和命名 第二节 羧酸的物理性质 第三节 羧酸的光谱特征 第四节 羧酸的结构和酸性 第五节 羧酸的制备 第六节 羧酸的反应 第七节 卤代酸的合成和反应 第八节 羟基酸的合成和反应
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