1、复习上节课内容 2、讲述土方工程施工工艺 3、小结本次课内容

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

1.交流绕组 三相交流绕组的构成原则是: (1)力求获得较大的基波电势;(2)保证三相电动势对称;(3) 尽量削弱谐波电势,力求接近正弦波;(4)节省材料和工艺方便。 交流绕组通常分为单层和双层两大类。双层绕组又分为叠绕组和波绕组。双层绕组的特点是可 灵活地设计成各种短距绕组来削弱谐波,对于叠绕组,短距时还可节省端部用铜。单层绕组的特点 是工艺简单,但不能像双层绕组那样设计成短距以削弱谐波

一、判断题（正确的填“√”，错误的填“×”。每题 1 分，满分 20 分） ( × )1．计算机辅助工艺规程设计是指利用计算机自动编制加工程序的一种方法。 （ √ ）2. YG 类硬质合金主要用于加工铸铁、有色金属及非金属材料

钢的热处理固态下,通过加热、保温、冷却、改变组织得到所需性能的工艺方法。 特点:在固态下,只改变工件的组织,不改变形状和尺寸目的:改善材料的使用、工艺性能基本过程:加热→保温→冷却

以金相方法测定9XC钢的M点及下石氏体(贝茵体)转变的开始曲线.以磁性方法测定9XC钢在不同情况下奥氏体的稳定化作用.测定了残余奥氏体含量和9XC丝锥的变形量之间的关系.以φ24X2毫米铣牙丝锥进行工厂实际试验的结果证明,先淬火至160°停留1—3分钟,然后升至240°等温停留10分钟的新工艺方案,和在170°等温停留45分钟的工艺方案相比较,能缩短等温时间至1/4,其淬火后工件节径的变形量从0.11%减至0.06%(平均值)

研究间接挤压铸造工艺条件下,浇注温度、挤压压力、挤压速度、冷却速度及参数间的交互作用对6066铝合金中Si元素的偏析影响规律.以凝固后零件热节位置硅的质量分数与合金初始硅的质量分数的差值定量表征偏析程度,采用考虑一级交互作用的四因素两水平正交设计,研究间接挤压条件下硅的偏析现象.结果发现:浇注温度、挤压压力、挤压速度和冷却速度对硅偏析都有影响,其中浇注温度是影响最显著的因素.随着浇注温度的升高,铝合金中Si偏析程度减小.挤压压力和挤压速度对硅偏析的影响次之,但两者的影响趋势相反;模具冷却能力的影响程度与挤压压力和挤压速度的交互作用的影响程度相似,铜模套(高冷速)比钢模套(低冷速)的硅偏析程度要轻.间接挤压铸造条件下,工件热节位置可以出现硅的负偏析

一、试制订图示齿轮泵座所示零件的加工中心加工工艺

考察了电解液中掺硫剂TS、添加剂SB的质量浓度及电流密度等关键因素对镍扣含硫量和产品物理外观的影响,研究了1#电解镍与含硫镍扣产品电化学活性的区别,确定了采用硫化镍可溶阳极电解制备含硫活性镍扣的工艺和最佳技术参数.最佳技术参数为：掺硫剂TS的质量浓度7.53 mg·L-1、添加剂SB的质量浓度36.97 mg·L-1）、平均表观电流密度1300 A·m-2,其他技术参数与电解镍生产技术参数相同.在上述条件下制备出的含硫镍扣,外表光亮,形状规则,硫的质量分数在0.01%~0.03%之间.其电化学活性较强,化学成分也均符合1#电解镍的要求.该工艺目前已应用于工业生产,产品可以满足精密电镀行业所需特殊电镀阳极的需求

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂