4场效应管放大电路 4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vs=4V时的转移特性

5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法

4–1 集成运算放大器的特点 4–2 电流源电路 4–3 差动放大电路 4–4 集成运算放大器的输出级电路 4–5 集成运放电路举例 4–6 MOS集成运算放大器 4–7 集成运算放大器的主要性能指标

2.4.1 求差电路 2.4.2 仪用放大器 2.4.3 求和电路 2.4.4 积分电路和微分电路

3.3.1直接耦合放大电路的零点漂移现象 一、零点漂移现象及其产生的原因 1.零点漂移现象

3.4小信号模型分析法 3.4.1BJT的小信号建模 1.H参数的引出 2.H参数小信号模型 3.模型的简化 4.H参数的确定 3.4.2共射极放大电路的小信号模型分析

3.1半导体三极管(BT) 3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数

采用共沉淀法制备了Ni(OH)2前驱体材料，通过高温固相法制备了LiNiO2和B掺杂LiNiO2（B的摩尔分数为1%），利用X射线衍射（XRD）、里特维尔德（Rietveld）精修、扫描电子显微镜（SEM）、恒流充放电测试、循环伏安（CV）和电化学阻抗谱（EIS）对材料的晶体结构、表面形貌和电化学性能进行了系统性表征.XRD和Rietveld精修结果表明，LiNiO2和B掺杂LiNiO2均具有良好的层状结构，B因为占据在过渡金属层和锂层的四面体间隙位而导致掺杂后略微增大材料的晶格参数和晶胞体积，同时增大了LiO6八面体的间距，进而促进锂离子运输.由于掺杂的B的摩尔分数仅为1%，LiNiO2和B掺杂LiNiO2均表现为直径10 μm左右的多晶二次颗粒，且一次颗粒晶粒尺寸没有明显区别.长循环数据表明B掺杂可以有效提高材料的循环容量保持率，经100次循环后，B掺杂样品在40 mA·g−1电流下的容量保持率为77.5%，优于未掺杂样品（相同条件下容量保持率为66.6%）.微分容量曲线和EIS分析表明B掺杂可以有效抑制循环过程中的阻抗增长

自测题 一、(1)√(2)×(3)×(4)× 二、(a)加集电极电阻R及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同铭端

4–1 集成运算放大器的特点 4–2 电流源电路 4–3 差动放大电路 4–4 集成运算放大器的输出级电路 4–5 集成运放电路举例 4–6 MOS集成运算放大器 4–7 集成运算放大器的主要性能指标