双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。 它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极 管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2―1(a)所示。由图可见， 组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构， 所以称为NPN管

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

• 带隙电压基准的基本原理 • 常用带隙电压基准结构 – PTAT带隙电压基准 – 运放输出电压基准 • 基准电路的发展方向 • PTAT带隙电压基准的设计 • 优化温度特性 • 实训

在现代电气测量系统中，调理电路是一个重要组成部分，它位于传感器和ADC之间，其功能可以概括成以下几点： • 放大作用：电压放大应使测量范围对应ADC的满量程输入电压范围 • 共模抑制：抑制差分输入信号中的共模电压分量 • 阻抗转换：将高阻信号源转变为低内阻的信号输出 • 电气隔离：光电隔离和变压器隔离的集成运放

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结

CE―CB组合放大器及其交流通 路分别如图2―44(a),(b)所示。由于共基 放大器的输入电阻很小，将它作为负载 接在共射电路之后，致使共射放大器只 有电流增益而没有电压增益。而共基电 路只是将共射电路的输出电流接续到输 出负载上。因此，这种组合放大器的增 益相当于负载为R′

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.4.1 CMOS MC14573集成电路运算放大器 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大器中的噪声和干扰 6.7.1 放大电路中的噪声 6.7.2 放大电路中的干扰

第 1 章 实验技术及电子测量的基本知识 -3 1.1 正确使用测量仪器 -3 1.2 合理地安装、布线实验装置 -5 1.3 选择合适的测试点 -7 1.4 测量的基本概念 -8 1.5 电压的测量方法 -11 1.6 阻抗测量 -11 1.7 频率、时间和相位的测量 -12 第 2 章 模拟电路实验 -14 2.1 实验一 常用电子仪器使用练习及认识二极管 -14 2.2 实验二 晶体管特性测量 -19 2.3 实验三 放大电路及性能 -26 2.4 实验四 集成运算放大器的基本应用（1）：基本运算电路 -30 2.5 实验五 集成运算放大器的基本应用（2）：信号处理——有源滤波器 -35 2.6 实验六 集成运算放大器的基本应用（3）：波形发生电路 -39 2.7 实验七 音频集成功率放大器 -43 附录一 一些实验装置、仪器的使用说明 -46 1 VC9801A + 型数字万用表 -46 2 YX-960TR 万用表 -50 3 YB2173B 双路数字交流毫伏表 -51 4 YB1700 系列三路直流稳压电源 -54 5 TES-1 型电子技术学习机 - 58 附录二 电路元器件简介-63 1 常用电路元器件简介-63 1.1 电阻器的识别与型号的命名法-63 1.2 电容器的识别与型号的命名法-66 1.3 常用半导体器件型号命名法-69 1.4 几种常用模拟集成电路简介- 74 1.5 常用的数字集成电路简介- 83 2 设计型实验主要器件简介- 89 2.1 发射/接收型超声波传感器- 89 2.2 光电耦合器- 90 2.3 蜂鸣器- 91 2.4 A/D 和 D/A 转换器- 91

重点：是多级放大电路的祸合方式及其特点,多级放大电路的动态参数与组成它的各级电路的关系,差分放大电路工作原理和静态工作点、差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的分析和估算,互补输出级的工作原理。难点：是组成多级放大电路的各级电路的输入电阻和输出电阻对多级放大电路动态参数的影响,单端输出差分放大电路静态和动态的分析,为什么在直流信号作用时的输出电压需用交流等效电路来分析等问题