用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

空气组成和热量状况直接影响到植物的种子萌 发、出苗、植株形成、开花结果和成熟衰老的整个生长 发育过程,同时也为土壤中发生的各种物理、化学和生物学过 程提供必要的条件。土壤通气不良,必然导致营养物质转化、 植物根系呼吸和个体发育障碍,甚至产生有毒物质。土壤热量 状况如果不能适应植物生长发育的要求,同样会对植物造 成伤害

-0引言 6-1粒子体系统计分布的基本知识 6-2麦克斯威-玻尔兹曼统计 6-3配分函数与热力学函数的关系 6-4分子配分函数的计算 6-5体系热力学性质的计算 6-6理想气体反应平衡常数的计算

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§1 引言 §5.2 相律及其热力学推导 §5.3 单组分体系 §5.4 二组分体系 §5.4.1 完全互溶双液体系的蒸气压-组成图 §5.4.2 完全互溶双液体系的沸点-组成图 §5.4.3 部分互溶双液体系的温度-组成图 §5.4.4 不互溶双液体系的饱和蒸气压 ⎯ 水蒸汽蒸馏 §5.4.5 简单低共熔混合物体系 §5.4.6 步冷曲线—热分析法绘制相图 §5.4.7 有化合物生成的体系 §5.4.8 固相完全互溶的体系相图 §5.4.9 固相部分互溶体系 §5.5 三组分体系

§3.1 卡诺循环 §3.2 热力学第二定律 §3.3 熵、熵增原理 §3.4 单纯PVT变化熵变的计算 §3.5 相变过程熵变的计算 §3.6 热力学第三定律和化学变化过程熵变计算 §3.7 亥姆霍兹函数和吉布斯函数 §3.8 热力学基本方程 §3.9 克拉佩龙方程 §3.10 吉布斯-亥姆霍兹方程和麦克斯韦关系式

一、概述 表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

为满足现代电子工业日益增长的散热需求，急需研究和开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料，而改善复合材料中增强相与基体的界面结合状况是提高复合材料热导率的重要途径.本文在对金刚石和镀Cr金刚石进行镀Cu和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了不同的金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合状况，测定了复合材料的热导率.实验结果表明：复合材料中金刚石颗粒均匀分布于玻璃基体中，Cu/金刚石界面和Cr/Cu界面分别是两种复合材料中结合最弱的界面；复合材料的热导率随着金刚石体积分数的增加而增加；金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而降低，由于镀Cr层实现了与金刚石的化学结合以及Cr在Cu层中的扩散，镀Cr金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而增加.当金刚石粒径为100μm、体积分数为70%及镀Cu层厚度为约1.59μm时，复合材料的热导率最高达到约91.0 W·m-1·K-1

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

本文研究了粉末镍基高温合金FGH95中PPB问题。结果指出:PPB碳化物在雾化过程中已开始形成,在热等静压过程中继续大量析出。由于PPB碳化物化学成分及组成复杂,不同类型碳化物可发生相互作用。热处理使PPB问题更加严重。通过实验证明并分析PPB碳化物的形成主要是与合金中残留氧量有关