结论：纯电阻负反馈网络，不影响闭环极点和零点的数量，也不改变闭环零点的值，只改变闭环极点的值

• 带隙电压基准的基本原理 • 常用带隙电压基准结构 – PTAT带隙电压基准 – 运放输出电压基准 • 基准电路的发展方向 • PTAT带隙电压基准的设计 • 优化温度特性 • 实训

在现代电气测量系统中，调理电路是一个重要组成部分，它位于传感器和ADC之间，其功能可以概括成以下几点： • 放大作用：电压放大应使测量范围对应ADC的满量程输入电压范围 • 共模抑制：抑制差分输入信号中的共模电压分量 • 阻抗转换：将高阻信号源转变为低内阻的信号输出 • 电气隔离：光电隔离和变压器隔离的集成运放

（1）电压串联负反馈 Avfs （2）电压并联负反馈 Arfs

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结

 pn结模型  BJT型晶体管模型  MOS型晶体管模型  MOS型与BJT型晶体管的比较

如果在图4―12差动放大器的两个输入端加上一对 大小相等、相位相同的共模信号，即Ui1 =Ui2 =Uic,由图 可知，此时两管的射极将产生相同的变化电流ΔiE，使 得流过RE的变化电流为2ΔiE，从而引起两管射极电位 有2 RE Δ iE的变化。因此，从电压等效的观点看，相当 每管的射极各接有2 RE的电阻

双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。 它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极 管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2―1(a)所示。由图可见， 组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构， 所以称为NPN管

CE―CB组合放大器及其交流通 路分别如图2―44(a),(b)所示。由于共基 放大器的输入电阻很小，将它作为负载 接在共射电路之后，致使共射放大器只 有电流增益而没有电压增益。而共基电 路只是将共射电路的输出电流接续到输 出负载上。因此，这种组合放大器的增 益相当于负载为R′