第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

设P是数域,是一个文字,作多项式环P,一个矩阵如果它的元素是 的多项式,即P[]的元素,就称为-矩阵在这一章讨论λ矩阵的一些性 质,并用这些性质来证明上一章第八节中关于若当标准形的主要定理 因为数域P中的数也是P]的元素,所以在λ矩阵中也包括以数为元素 的矩阵.为了与-矩阵相区别,把以数域P中的数为元素的矩阵称为数字矩 阵.以下用A(),B()…等表示-矩阵 我们知道,P]中的元素可以作加、减、乘三种运算

第六章跨国金融机构 [本章目录] 第一节跨国银行与国际投资 第二节非银行跨国金融机构与国际投资 第三节跨国金融机构与跨国公司、世界金融风险的关系

要求： 扩散的动力学方程 扩散的热力学方程(爱因斯坦－能斯特方程) 扩散机制和扩散系数 固相中的扩散 影响扩散的因素

第十十章教材第十五章国民收入决定理论IS-LM模型 第一节投资的决定 第二节物品市场的均衡与曲线 第三节利率的决定 第四节货币市场的均衡与LM曲线 第五节物品市场和货币市场的同时均衡与IS-LM模型 第六节凯恩斯的基本理论框架

劳动力流动概述:含义、形式、成因及影响因素 劳动力流动的成本－收益分析 工作调整 工作搜寻 劳动力的国际迁移 中国的劳动力流动

第四章国际投资理论 本章目录 第一节马克思主义经典作家的国际投资理论 第二节国际间接投资理论 第三节国际直接投资理论 教学内容 国际投资理论包括:马克思主义经典作家的国际投资理论和西方经济学者的理论

一、委托一代理原理 二、激励机制 三、政策中的激励机制

§4-1 引言（从频域求响应） § 4-2 信号通过系统的频域分析方法 § 4-3 理想低通滤波器的冲激与阶跃响应 §4-4 佩里－维纳准则

一、理解原电池与电解池的异同点;理解电导、电导 率、摩尔电导率的定义及其应用。 二、 掌握电解质的活度、离子平均活度和离子平均活 度系数的定义及计算。 三、掌握离子迁移数、离子电迁移率的定义;了解迁 移数的测定方法。掌握离子独立运动定律和德拜 一休克尔极限定律。 四、重点掌握电池反应和电极反应的能斯特方程,会 利用能斯特方程计算电池电动势和电极电势 理解浓差电池的原理,了解液接电势的计算。 五、了解分解电压和极化的概念以及极化的结果 §7.1 电解质溶液的导电机理及法拉第定律 §7.2 离子的迁移数 §7.3 电导、电导率和摩尔电导率 §7.4 电解质的平均离子活度因子及德拜－休克尔极限公式 §7.5 可逆电池及其电动势的测定 §7.6 原电池热力学 §7.7 电极电势和液体接界电势 §7.8 电极的种类 §7.9 原电池设计举例 §7.10 分解电压 §7.11 极化作用 §7.12 电解时的电极反应生成