一、实验目的 1．掌握基本 RS 触发器、 JK 触发器、 D 触发器和T 触发器的逻辑功能。 2．熟悉各类触发器之间逻辑功能的相互转换方法

1模入通道(A/D)转换实验2模出通道 (D/A)转换实验3过程通道综合设计实验4常 规控制算法设计实验5非最少有限拍算法设计实验 6达林算法设计实验7状态观测器跟踪系统设计 实验 1模入通道(A/D)转换实验1.1实验目的掌握模入通道的 设计方法与采样过程原理,熟悉汇编语言基本程序设计方法调试过程和 ADC0809的内部结构原理。 1.2实验器材单片机仿真器系统一套,直流稳压电源一台,万用表一块, ADC0809一块,74LS02四或非门一块,10电位计一只,包板一块,导线若 干

键盘接口(键盘种类矩阵键盘的行扫描与 线反转法的电路、原理与编程); D/A转换接口(DAC0832产生各种波形); AD转换接口(ADC0809三种读取方式电路 及单路采集与多路采集编程应用)

确定局部损失系数的实验方法 例用U形压差计测量水平放置弯管的局部损 失系数。已知d=0.25m,Q=0.04m3/s,U 形管工作液体的密度P=1600kg/m3。如果 测得△h=70mm,试计算5 解忽略沿程损失,对1和2断面列出伯努利方程

13-1导体静电屏蔽条件 13-2静电平衡的导体上的电荷分布 13--3有导体存在时静电场的分析 13-4静电屏蔽 13-5电容器 13-6电介质对电场的影响 13-7电介质的极化 13-8D矢量及其高斯定律 13-9电容器的能量

一、单项选择(每题2分,共20分) ()1、边际消费倾向与边际储蓄倾向的关系是: A、之和等于1; B、之和大于1; C、之和小于1; D、无关

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

有两种坐标系,一种是世界坐标系(Wc: world coordinate system),这种较常用;另一种是用户坐 标系(UCS),这种常用于较复杂的图形。 坐标:动态与静态,默认为动态直角坐标。F6或 Ctrl+D可切换。状态栏右击:利用快捷菜单可选择显 示方式

1、本试卷的试题中共有75个空格,需要全部解答,每个空格1分,满分75分。 2、每个空格对应一个序号,有A、B、C、D四个选项,请选择一个最恰当的选项作为解答

5.在一密闭容器中,储有A、B、C三种理 想气体,处于平衡状态.A种气体的分子数 密度为n1,它产生的压强为p1,B种气体 的分子数密度为2n1,C种气体的分子数密 度为3n1,则混合气体的压强p为 (A)3p1(B)4p1 (C)5 pl D) pl