采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强

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一、SrM的配方,n值可取6(理论),生产常取5.9,(5.7~5.9),高摩尔,<5.5(低摩尔) 二、添加剂的影响,主要新发展,加La2O3,Al2O3,C2O3.日本的FB9系列,是用La2O3,取代部分SrCO3,用Co3O4部分取代Fe2O3在一次料时加入;中国二次料时加入,也可引起相应的一些作用

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