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①首先检查 CMOS SETUP是否丢失了硬盘配置信息。测量主板上 COMS RAM电路是否为电池有故 障,或元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等损坏能原因而CMOS中的硬盘配置参数出 错
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使用高功率光纤激光器的快速成形系统和电磁感应加热设备,分别在未预热和预热的情况下成形12CrNi2合金钢.通过扫描电镜观察成形件微观组织、维氏硬度计测试不同部位硬度、万能材料试验机测试不同方向的拉伸性能,研究预热对激光熔化沉积12CrNi2合金钢不同方向的组织、硬度、拉伸性能的影响.结果表明:未预热条件下,单道熔池组织为板条马氏体,块状成形件熔池为回火马氏体与贝氏体混合组织,XOZ截面与YOZ截面组织没有明显的组织差别,但YOZ截面整体硬度大于XOZ截面,同时两个截面均出现了大尺寸宏观裂纹缺陷,力学性能差.在预热条件下,熔池由于温度梯度降低发生贝氏体转变,单道熔池呈现性能优异的下贝氏体组织;块状成形件熔池没有发生回火马氏体转变,主要为粒状贝氏体.截面硬度分布较未预热下更为均匀.在拉伸方向及搭接方向均呈现高强度、低塑性特征,抗拉强度可达1189 MPa,屈服强度为951 MPa,伸长率仅为2.8%,性能没有明显的各向异性.预热能够降低熔池中温度梯度,减小热应力,有效控制裂纹缺陷,促进组织均匀化,降低组织、性能的各向异性,提高合金钢成型件力学性能
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针对熔化焊在焊接AA7B04铝合金时易在焊缝中出现孔洞等缺陷,且接头性能下降明显、焊后变形大,以及采用铆接等机械连接方式会增加连接件的重量等问题,采用集成了搅拌摩擦焊末端执行器的KUKA Titan机器人对2 mm厚AA7B04高强铝合金进行了焊接,在转速为800 r·min-1的条件下,研究了焊度对焊接过程中搅拌头3个方向的受力Fx、Fy和Fz的影响.研究发现,Fz受焊速的影响显著,随焊速的增加而降低.利用光学显微镜、透射电子显微镜、拉伸试验、三点弯曲试验和硬度测试等方法,研究了不同焊速下AA7B04铝合金接头的微观组织和力学性能.结果表明:当焊速为100 mm·min-1时,接头的抗拉强度最高为447 MPa,可达母材的80%,且所有接头的正弯和背弯180°均无裂纹;接头横截面的硬度分布呈W型,硬度最低点出现在热力影响区和焊核区的交界处,焊速不同会导致不同的焊接热循环,且随着焊速的增加接头的硬度随之增加;焊核区组织发生了动态再结晶,生成了细小的等轴晶粒,前进侧和后退侧热力影响区的晶粒均发生了明显的变形;前进侧热影响区析出η'相,后退侧热影响区因温度较高析出η'相和尺寸较大的η相
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选取商业纯铝和超硬铝作为锌电积阴极,在ZnSO4-H2SO4体系中通过电化学测试研究两种阴极的电化学行为,同时利用扫描电镜观察铝合金上电积锌初期形核,X射线衍射分析锌片结晶取向.研究结果表明:500 A·m-2电流密度下纯铝阴极的析出电位和交换电流密度分别为-1.541 V和7.74×10-11 A·cm-2,超硬铝阴极分别为-1.496 V和6.07×10-3 A·cm-2.合金元素的添加会增加初期形核位置,提高形核速率,而形核速率的提高在一定程度上抑制卤族元素对阴极的腐蚀.沉积3 h后,锌片结晶取向没有发生变化.超硬铝易发生烧板和鼓泡,电流效率低,只有84.54%;纯铝电流效率达到88.04%,且沉积锌平整、光滑,但阴极板容易被卤族元素腐蚀
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第9章随机事件与概率 第一单元随机事件与概率 一、学习目标 通过本节课的学习,知道概率统计是研究随机现象的客观规律的,通过随机事件,认识随机事件发生的可能性大小用数量表示即概率.对随机事件和概率的概念有初步了解 二、内容讲解 随机事件与概率 如,抛硬币试验观察抛硬币,哪个面朝上演示:抛硬币,哪个面朝上,具有不确定性英国数学家皮尔逊做24000次抛硬币试验
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第一章 概述 1.1 SOPC 的概念 1.2 SOPC 系统设计流程 1.3 SOPC 系统开发环境 1.4 本书中的系统配置 第二章 SOPC 系统构架 2. 1 系统模块框图 2. 2 Nios CPU 2. 3 Avalon 总线 2. 4 外设 IP 模块 第三章 系统硬件开发 3.1 硬件开发流程 3.2 创建 Quartus II 工程 3.3 创建 Nios 系统模块 3.4 编译设计(Compilation) 3.5 编程(Programming) 3.6 下载设计到 Flash 存储器 第四章 系统软件开发 4.1 软件开发流程 4.2 软件开发环境 4.3 文件系统 4.4 软件开发工具 4.5 可配置的处理器硬件属性 4.6 Nios SDK 4.7 软件开发应用 4.8 使用.hexout 4.9 其它的开发板通信和调试方法 4.10 Nios SDK Shell 提示信息 4.11 在 Nios 系统中实现中断服务程序(ISR) 4.12 用户自定义指令 第五章 系统模拟与调试 5.1 软件配置 5.2 模拟设置 5.3 ModelSim 模拟 5.4 模拟结果分析 5.5 增加/删除波形图信号 5.6 片外存储器模拟 5.7 调试 第六章 系统设计实例 6.1 建立硬件需求 6.2 创建一个基本的 Nios 设计 6.3 GDB 调试 6.4 添加用户外设 6.5 RTL 仿真 6.6 Flash 编程 6.7 用户指令和 DMA 6.8 MP3 播放器 附录 1:Nios 嵌入式处理器 32 位指令集 附录 2:Nios 嵌入式处理器开发板-APEX 20K200E 附录 3:Nios 嵌入式处理器开发板-Cyclone_1C20 附录 4:Nios 嵌入式处理器开发板-Stratix_1S10 附录 5:Nios 嵌入式处理器开发板-Stratix_1S40
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1.材料的物理性质表述为电学性质、磁学性质、光学性质和热学性质。 2.材料的硬度表征为布氏硬度、洛氏硬度和维氏硬度等。 3.材料的化学性质主要表现为催化性质和防化性质
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1.1 数据存储技术总论 1.2 数据恢复技术总论 1.3 硬盘数据恢复与硬盘修理的区别与联系 1.4 硬盘数据保护方式介绍 1.5 硬盘缺陷
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通过比较无限冷硬球铁轧辊经过不同温度退火处理后组织和硬度的变化,测定了该材质在凝固和冷却过程中的铸造应力,在此基础上提出了无限冷硬球铁轧辊去应力退火处理的温度为400℃左右
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研究了具有Co-20Ti成分的L12-Co3Ti金属间化合物的硬度随时效时间的变化,同时测定了时效处理后含析出相的L12-Co3Ti金属间化合物的屈服强度随温度的变化.通过透射电镜观察揭示出由于析出相为单纯的面心立方结构的γ-Co相,虽然硬度低于基体的Co3Ti金属间化合物,仍然可使Co3Ti相得到有效硬化.γ-Co析出相在时效初期与Co3Ti基体保持共格关系.γ-Co析出相呈片状形态,平行于有序基体的{100}晶面析出.透射电镜观察结果表明,γ-Co析出相与变形位错的交互作用为引力型交互作用,这种引力型交互作用对材料的强化起了主要贡献.同时还讨论了由于软析出相而引起的强化机理
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