一、实验目的 1．掌握CMOS集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会CMOS集成门电路主要参数的测试方法

测试分析了酚醛树脂碳化产物组装的锂离子充放电性能.实验结果表明,树脂碳化产物作为锂离子电池碳电极材料时,其碳化处理温度有一个最佳温度范围,酚醛树脂碳化产物的最佳温度在700℃左右;树脂碳化产物的比表面积是影响电池充放电性能的重要因素,碳化产物的比表面积越大,电池的充放电量就越高,电池充放电量与充放电电流密度成反比

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好

套管接头在装配、内压和拉伸载荷工况条件作用下,沿接头的应力分布规律及上扣扭矩和滑脱力的大小,对分析套管接头粘扣、泄漏和滑脱失效有重要参考价值.使用目前先进的全尺寸实物评价试验设备,对套管接头进行了综合实验测试,并分析了测试结果.实验和分析结论提高了全面认识套管接头力学性能的水平,而且为从理论上进一步深入研究提供了可靠的数据

在某钢铁线材企业的实际调度问题的基础上,研究了一类带有组换装时间的单机调度问题.根据该调度问题的实际需求,以最小化作业的最大延迟为优化目标.由于该问题是NP难的,提出了一类启发式算法来求解该问题,并进一步通过引入问题的性质,提高算法的寻优性能,降低算法运行时间.该算法在随机产生的测试问题和企业的实际调度上均进行了测试,实验结果表明该启发式算法能在短时间内获取近优解

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

第一章 概述 第二章 可行性研究 第三章 需求分析 第四章 概要设计 第五章 详细设计 第六章 实现 第七章 软件测试 第八章 软件维护 第九章 测试 第十章 面向对象技术 第十一章 软件质量保证 第十二章 软件工程管理

通过低氧实验提出一种快速识别人体低氧状态的方法.通过搭建深层神经网络训练实验数据识别氧气体积分数(16%~21%)与人体可耐受极端低氧气体积分数(15.5%~16%)条件下光电容积脉搏波(photoplethysmography, PPG)信号, 获得人体生理状态的模式识别网络.经测试该网络的识别正确率可达92.8%.利用混淆矩阵及接受者操作性能(receiver operating characteristic, ROC)曲线分析, 混淆矩阵的训练集、验证集、测试集、全集识别正确率分别达到97.9%、94.8%、92.8%和96.3%, AUC (area under curve)值接近1, 认为该网络分类性能优良, 并且可在4 s内完成整个识别过程

在理论分析的基础上,先后在试验轧机上和现场工业轧机上对四辊热、冷轧机进行f综合测试,对四辊轧机轧辊不同交叉形式以及不同交叉角情况下的轴向力进行了测试分析.获得了轧机的力学、运动学和动力学等参数的实际数据

第二节 电阻应变片 第三节 应变测量 第四节 常用的传感设备 第五节 试验记录方法 第六节 建筑结构现场测试技术 第一节 概述 第二节 数据整理和换算 第三节 数据误差分析 第四节 数据的表达