戊戌变法的失败，使中国民族资产阶级认识 到，不能依靠满清当局进行自上而下的变革，要 想使中国走上独立富强的振兴之路，必须推翻满 清王朝，走民族与民主革命的道路。自此，中国 近代哲学进入反对改良，鼓吹反满革命的阶段。 哲学上，也开始对西方的进化论与西方文明的负 面性进行反思，提出质疑。在政治上，虽然以西 方的民主制度为共国的篮图，但无论是严复、章 太炎还是孙中山都认识到中国的民主革命有其自 身的特点，未来中国要建立符合本民族特点的政 治体制

在半导体硅片(Si)-扩散阻挡层(Ni-Cr合金)-金属互连材料(Cu)构成的体系中,Si和Ni-Cr合金之间以及Ni-Cr合金和Cu之间各构成一对扩散偶.通过制备扩散偶试样模拟相应的界面反应,实验测定950℃下界面反应产物的表观序列.从热力学的角度,分别对Cr-Ni-Si和Cr-Cu-Ni三元系中Si/(Ni-Cr)和(Ni-Cr)/Cu两个界面进行反应驱动力分析.计算获得的阶段性生成相表观序列与实验测得结果一致

明王朝灭亡之后，一些志士仁人， 先是高举“反清复明”的政治旗帜进行 武装斗争，武装斗争失败之后，便开始 了对明朝灭亡的历史教训进行深痛的反 思。其中的代表人物是顾炎武、王夫之 和黄宗羲

从魏晋动荡的社 会背景之透视中了解当时的人生观、生死观，结合宗教 发展历史，明了意识形态领 域反宗教情绪兴起的原因， 认识当时反宗教思潮的理论着眼点；掌握范缜《神灭论》 的主要思想内容与理论意义、 现实意义

主要内容 ■烯烃的亲电取代反应,常见的几种反应,产物的类型 亲电加成的一般机理(正碳离子机理) ■ Markovnilkov加成规则及解释 ■卤素与烯烃的加成机理(环正离子机理)及反应对立 体选择性的解释

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

许多高温冶金过程都是在熔融的反应介质中进行的 如炼钢、铝电解、粗铜的火法精炼等 在很多冶炼过程中,产物或中间产品为熔融状态物质 如高炉炼铁、硫化铜精矿的造锍熔炼铅烧结块的鼓风炉熔炼等 冶金熔体—在高温冶金过程中处于熔融状态的反应介质或反应产物 冶金熔体的分类根据组成熔体的主要成分的不同

使用Bordoni型的仪器在声频范围内研究了铁镍基金属玻璃的低温含氢内耗,并研究了退火处理对内耗的影响。结果表明低温含氢内耗是Snoek 型弛豫,并观察到了反常模量亏损和反常弛豫强度现象,提出τ缺陷增强 Snoek 弛豫模型解释了反常弛豫强度现象

利用ZrO2·MgO固体电解质定氧探头测定了实验1kg级铁水喷吹CaO系熔剂同时脱磷脱硫处理过程中反应初始和终了的铁水氧位,并进行了热力学分析。测定的初始氧位范围为Po2=10-8.45~10-9.75Pa(10-13.46~10-14.70atm),比按C/O、Si/O平衡反应计算的氧位提高1~3个数量级,测定的终了氧位范围为Po2=10-7~10-9Pa(10-12~10-14atm),比初始氧位提高1~3个数量级,与热力学计算的最佳氧位值(Po2=10-7.88Pa(10-12.88atm))吻合良好。结果表明,随铁水终了氧位升高,脱磷率增加、终了磷含量下降,脱硫率则稍有降低、终了硫含量稍微升高。此外,还从电化学上对同时脱磷脱硫处理的最佳氧位-电位区域进行了分析,并探讨了铁水罐喷吹脱磷脱硫处理的反应机理

同步发电机电枢反应 Armature reaction of syncnronous generator 一、电枢反应的概念