点击切换搜索课件文库搜索结果(9653)
文档格式:PDF 文档大小:1.05MB 文档页数:24
实验一 预备实验 实验二 金属箔式应变片全桥性能实验与应用 实验三 电容式传感器的位移实验与应用 实验四 直流激励非接触式霍尔位移传感器单/双向特性实验与应用 实验五 光纤传感器的位移特性实验与应用 实验六 拓展性实验
文档格式:PDF 文档大小:718.51KB 文档页数:10
运用运筹学中图论及多目标优化的理论和方法建立应急救援物资车辆最佳运输路线的选择模型,并基于启发式算法求解该模型.从静态网络应急物资车辆运输路线的双目标优化问题入手,设计适合本文模型的算法,并将之推广至含有三个及三个以上优化目标的路线选择问题.引入时间扩展图的概念,将动态网络中的最佳运输路线问题转化为静态网络中的路径选择问题.算法实质是通过构造辅助决策函数实现Dijstra算法的调用,并在辅助函数构成的搜索空间上寻找最优解,是一种快速的、近似的算法.利用随机路网和真实路网测试本文算法,测试结果与本文的理论分析一致,证明本文算法在应急救援物资车辆运输路线的多目标优化问题中可行且有较好的应用效果
文档格式:PPTX 文档大小:5.89MB 文档页数:72
 6.1 平面应变问题  6.2 平面应力问题  6.3 体力为常数时的平面问题描述  6.4 使用多项式应力函数解平面问题  6.5 使用傅立叶级数应力函数解平面问题  6.6 平面应力问题解的近似性
文档格式:PDF 文档大小:862.21KB 文档页数:8
为研究不同含水状态岩石力学性质的变化规律,并保证仅受含水量这一单一因素的影响,以砂岩作为试验材料,制备饱和系数分别为2.82%、52.11%、100%的干燥、半饱和、饱和三种不同含水状态的岩石试样,进行静载以及8种不同冲击能量作用下的动力学性质的研究.通过试验可知:在静载作用下,相比干燥岩石,半饱和、饱和岩石试样的应力-应变曲线随含水量增加出现了峰值明显降低的现象,抗压强度分别降低了8.12%、19.26%.动载作用下,随应变率的增加,3种岩石强度均呈现不同程度的线性变化,应力-应变曲线出现右移及峰值增加的现象,且干燥岩石与含水岩石在卸载阶段有明显不同的两种趋势,特别是在卸载第二阶段.而在相同冲击能量作用下,岩石的含水量越大,其破碎程度越大
文档格式:PPT 文档大小:4.08MB 文档页数:188
8.1化学反应速率及速率方程 8.2具有简单级数的反应 8.3反应级数的测量法 8.4几种典型的复杂反应 8.5温度对反应速率的影响 8.6链反应 8.7拟定反应机理的一般方法
文档格式:DOC 文档大小:636.5KB 文档页数:60
环境现状调查是环境影响评价的组成部分,一般情况下应根据建设 项目所在地区的环境特点,结合环境要素影响评价的工作等级,确定 各环境要素的现状调查范围,并筛选出应调查的有关参数。 环境现状调查中,对环境中与评价项目有密切关系的部分(如大气、 地面水、地下水等)应全面、详细,对这些部分的环境质量现状应有 定量的数据并做出分析或评价;对一般自然环境与社会环境的调查, 应根据评价地区的实际情况进行调查
文档格式:DOC 文档大小:71KB 文档页数:7
酶工程在医学方面的应用是研究和解决酶在医学上应用时的各种技术问题。现代分子生物学 认为生物活动的正常进行都依赖于机体内部生化反应的平衡和稳定,这种复杂而有序的生化反应 需要酶来催化调节,以控制体内代谢的正常进行。因此,一旦疾病发生,究其根本原因都与酶有 直接或间接的关系
文档格式:PPT 文档大小:419.5KB 文档页数:121
第一节 氧、氮原子上的酰化反应 第二节 碳原子上的酰化反应 第三节 α,β环氧烷基化反应 第四节 环加成反应
文档格式:PDF 文档大小:997.34KB 文档页数:10
立方氮化硼(CBN)刀具在加工合金铸铁的实际切削中破损问题十分严重。生产中要求找出有效措施以改变这种现象。本文根据弹性力学的原理,推导出了刃口区的应力分布,并在此基础上进行了光弹性模拟试验和实际切削试验。理论推导与试验结果基本吻合。当其它切削条件一定时,刀具前角由正值变为负值时,极限应力点由拉应力区移向压应力区,并根据实测数据计算出径向应力由正值变为负值。用两种不同前角的CBN刀具加工同一根合金铸铁,无论从刀具寿命或破损率及形貌上均可表明,采用本文给出的几何参数的合理性,从而找出了合理的前角数值。此外,论述了选取负倒棱的必要性。为进一步研究CBN刀具的切削性能和破损机理奠定了基础
文档格式:PPT 文档大小:1.8MB 文档页数:68
本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
首页上页8283848586878889下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 9653 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有