第一节、气体放电的基本物理过程 第二节、气体介质的电气强度 第三节、绝缘子与沿面放电 第四节、液体和固体介质的电气特性 本章小结： 电介质的电导用电阻率来表征 电介质损耗受外加电压的频率、大小及环境温度的影响而变化 液体、固体介质比气体介质的击穿场强高 绝缘的老化包括局部放电引起的电老化、热老化和绝缘的受潮 通常将视在放电量作为衡量局部放电强度的参数 电气设备绝缘预防性试验是设备运行的常规试验

一、控制电路设计注意事项 ①主电路保护的设置 这里所讲的保护,主要是针对电源变换装置里 的器件,需要保护的状态包括:过电压、过电流、 过热等。 电力电子装置里的许多元件,特别是半导体器 件,对电压电流非常敏感,正确地设置保护电路, 对电源变换装置的安全运行至关重要

数据结构”是计算机程序设计的重要理论技术基础,它不仅是计算机学 科的核心课程,而且已成为其他理工专业的热门选修课。本书是为“数据结 构”课程编写的教材,其内容选取符合教学大纲要求,并兼顾学科的广度和深 度,适用面广

1.教学目的:加强爱国主义教育是高职院校德育教育基本任务之一,针对学生缺乏对 爱国主义系统认识的现状,加深对爱国主义的理解,培养民族自豪感,增强民族凝聚力。 本着以学生为本的理念,注重结合实际讲解知识,突出爱国主义的时代价值,使学生正确 理解爱国主义的内涵,做忠诚的爱国者。 2.教学要求:本章通过讲授爱国主义的内涵、爱国主义的时代价值及弘扬民族精神, 使学生不仅懂得爱国,还要知道怎样爱国。激发学生们的爱国情感和热情,增强学生立志 成材的精神动力

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、计算机信息检索 与手工检索一样,计算机信息检索应作为未来 科技人员的一项基本功,这一能力的训练和培 养对科技人员适应未来社会和跨世纪科研都极 其重要,一个善于从电子信息系统中获取信息 的科研人员,必定比不具备这一能力的人有更 多的成功机会,美国报道生活新方式的期刊 POV也将交互网络检索专家作为未来十大热门 职业之一,这些情况都说明了计算机信息检索 越来越重要,故值得大家对这一技术予以重视

4-1适应的概念与原则 一、适应的概念 表现适应 适应 遗传适应 二、适应的基本理论 1.格罗杰法则 2.白格罗法则 3.威尔逊法则 4.白纳德法则 4-2适应过程的调节 热平衡 神经调节 体平衡化学平衡 畜体调节 内分泌调节 循环平衡 机体行为

9.1 铝及铝合金 铝合金是仅次于钢铁用量的金属材料。据调查,在铝合金市场中,有23%用量消耗于 建筑业和结构业,2%用于运输业,21%用于容器和包装,而电气工业占10%。在航空工 业中,铝合金的用量占着绝对优势

方向导数与梯度 实例:一块长方形的金属板,四个顶点的坐标是 1,1),(5,1),(1,3),(5,3).在坐标原点处有一个火 焰,它使金属板受热.假定板上任意一点处的温 度与该点到原点的距离成反比.在(3,2)处有一个 蚂蚁,问这只蚂蚁应沿什么方向爬行才能最快到 达较凉快的地点? 问题的实质:应沿由热变冷变化最骤烈的方 向(即梯度方向)爬行

一.亲电取代反应 1.反应机理 芳正离子的生成 加成一消除机理 2.反应的定向与反应活性 a.反应活性与定位效应 b.动力学控制与热力学控制 c.邻、对位定向比 亲电试剂活性 空间效应。 极化效应