• 2.2.1 半导体的压阻效应 • 2.2.2 体型半导体应变片 • 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 • 2.2.4 压阻式加速度传感器 • 2.2.5 测量桥路及温度补偿

第5章内存储器及其接口 5.1 半导体存储器 5.2 半导体存储器接口的基本技术 5.3 16位和32位系统中的内存储器接口

2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿

3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数

§1 双极型晶体管（BJT） § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件,它是 种可控制的硅整流元件,亦称可控硅

第三节 SQUID磁敏传感器 第四节 磁通门式磁敏传感器 第五节 感应式磁敏传感器 第六节 半导体磁敏传感器 第七节 机械式磁敏传感器

重点掌握ROM/RAM的电路结构,工作 原理和主要控制端的功能, 掌握ROMRAM位扩展和字扩展的方法 掌握ROM(RAM)的基本应用  第1、2学 时：半导体存储器RAM、ROM  第3、4学 时：ROM、RAM的应用  第5、6学 时：PLD（PAL、PLA、GAL）

4.1 光束的调制原理概述 4.1.1 振幅调制 4.1.2频率调制和相位调制 4.1.3 强度调制 4.1.4 模拟调制与数字调制 4.1.5脉冲编码调制 4.2 直接调制 4.2.1半导体激光器（LD）直接调制的原理 4.2.2半导体发光二极管（LED）的调制特性 4.2.3半导体光源的模拟调制 4.2.4半导体光源的脉冲编码数字调制 4.3半导体激光器的直接调制特性 4.3.1 调制特性 4.3.2 温度特性与自动温度控制 4.3.3 纵模性质 4.3.4 半导体激光器调制特性的实验研究 4.4 LiNbO3晶体电光强度调制特性 4.4.1 LiNBO3晶体横向强度调制原理 4.4.2直流偏压工作点对输出特性的影响 4.4.3 1/4波片对输出特性的影响 4.4.4 调制特性的实验研究 4.5 法拉第效应 4.5.1 实验研究 4.5.2 法拉第效应的应用 4.6 声光技术的发展动态及其应用 4.6.1 声光技术的发展动态 4.6.2 声光技术在激光技术领域中的应用 4.6.3 声光器件在军事中的应用