5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

一、数码相机的定义 数码相机又称为数字相机,简称DCS(Digital Still Camera)。其实质是一种非胶片相机,它 采用CCD(电荷藕合器件)或CMOS(互补金 属氧化物半导体)作为光电转换器件,将被摄 物体以数字形式记录在存储器中

8-1.ROM由主要由哪几部分组成? 8-2.试比较ROM、PROM和 EPROM及E2PROM有哪些异同? 8-3.PROM、 EPROM和 E2PROM在使用上有哪些优缺点?

半导体存储器是一种通用型LSI,主要用来存放大量的二值信息，它是数字系统不可缺少的组成部分

第一章 数制与码制 第二章 逻辑代数基础 第四章 组合逻辑电路 第五章 触发器(Flip — Flop) 第六章 时序逻辑电路 第七章 脉冲信号和变化 第八章 D/A和A/D变换 第九章 半导体存储器 第十章 可编程逻辑器件 第十二章 数字系统设计基础

目录 第1章绪论 第2章逻辑代数基础 第3章逻辑门电路 第4章集成触发器 演示文 第5章脉冲信号的产生与整形 第6章组合逻辑电路 第7章时序逻辑电路 第8章数模与模数转换器 第9章半导体存储器 第10章可编程逻辑器件

5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET